[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。

背景技术

包括半导体器件在内的电子设备对许多现代装置而言至关重要。半导体器件经历了快速增长。材料和设计的技术进步已生产出几代半导体器件，其中每一代都比上一代更小，并具有更复杂的电路。在进步和创新过程中，功能密度(即，每个芯片区互连器件的数量)普遍增加，而其几何尺寸(即使用制造工艺中可制造的最小组件)则在减小。这些进步增加了加工和制造半导体器件的复杂性。

微电子机械系统(MEMS)器件近期也得到了发展，并且普遍用于电子设备中。MEMS器件为微型器件，其尺寸范围通常为从1微米以下到几毫米。MEMS器件包括使用半导体材料制造以形成机械或电子功能件。为实现机电功能，MEMS器件的复杂性增加，并具有大量元件(例如，固定或可移动元件)。MEMS器件广泛使用于各种装置中。MEMS装置包括运动传感器、压力传感器、打印机喷嘴等装置。其他MEMS装置包括用于测量线性加速度的加速计等惯性传感器，以及用于测量角速度的陀螺仪。此外，MEMS装置可扩展为可动反射镜等光学装置，以及射频(RF)开关等射频装置等装置。

由于随着技术的发展，器件的整体尺寸减小，而功能和电路数量增加，其设计越来越复杂。器件具有许多复杂步骤，并且制造的复杂性增加，制造复杂性的增加可能导致高良率损失、翘曲和低信噪比(SNR)等缺陷。因此，需要不断改进电子设备中的器件结构和制造方法，以提高器件性能，并降低制造成本和加工时间。

发明内容

根据本发明的一个实施例，提供了一种半导体结构，包括：衬底；介电层，设置在所述衬底上方；传感结构，设置在所述介电层上方；接合结构，设置在所述介电层上方；导电层，覆盖所述传感结构；以及阻挡层，设置在所述介电层和所述导电层上方，其中，所述导电层和所述接合结构至少部分地从所述阻挡层暴露。

根据本发明的另一实施例，还提供了一种半导体结构，包括：互补金属氧化物半导体衬底；介电层，设置在所述互补金属氧化物半导体衬底上方；传感结构，设置在所述介电层上方；接合结构，设置在所述介电层上方；导电层，覆盖所述传感结构；阻挡层，设置在所述介电层上方以及围绕所述传感结构和所述接合结构；微电子机械系统衬底，设置为与所述阻挡层相对；以及导电插塞，设置在所述微电子机械系统衬底上方并且从所述微电子机械系统衬底凸出，其中，所述导电层至少部分地从所述阻挡层暴露，以及所述导电插塞与所述接合结构接合。

根据本发明的又一实施例，还提供了一种制造半导体结构的方法，所述方法包括：接收第一衬底，所述第一衬底包括设置在所述第一衬底上方的介电层；在所述介电层上方形成传感结构和接合结构；在所述传感结构上设置导电层；在所述介电层上方设置阻挡层；除去所述阻挡层的第一部分，以至少部分地暴露位于所述传感结构上的所述导电层；以及除去所述阻挡层的第二部分，以至少部分地暴露所述接合结构。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1为根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性截面图。

图2为根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性截面图。

图3为根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性截面图。

图4为根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性截面图。

图5为根据本发明的一些实施例的制造半导体结构的方法流程图。

图5A至图5Q为根据本发明的一些实施例的通过图5中的方法制造半导体结构的示意图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接触的方式形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。