[发明专利]像素结构

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

一基板；

一共通线，设置于该基板上；

一第一绝缘层，设置于该基板与该共通线上，且具有对应该共通线的一第一开口；

一第一连接电极，设置于该第一绝缘层上，且通过该第一开口与该共通线电性连接；

一主动元件，设置于该基板上；

一第二绝缘层，设置于该第一绝缘层与该主动元件上，且覆盖部分的该第一连接电极；

一保护层，设置于该第二绝缘层上，其中该保护层具有一第一保护层开口；

一第一电极，设置于该保护层上，其中该第一电极具有至少一突出部，覆盖该第一保护层开口的部分侧壁，且该至少一突出部设置于该第一保护层开口内的该第二绝缘层上；

一第三绝缘层，位于该第一电极上，其中该第三绝缘层与该第二绝缘层于该共通线之上共同形成一第一接触窗，该第一接触窗位于该第一保护层开口内，且该第一接触窗与该第一连接电极以及该至少一突出部对应设置；

一第二连接电极，覆盖于该第一接触窗上，使得该第一电极的该至少一突出部通过该第二连接电极与该第一连接电极电性连接；

一第二电极，位于该第三绝缘层上，且与该主动元件电性连接。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第二电极具有多个狭缝，且该第二电极与该第一电极重叠设置。

3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，该多个狭缝对应于该第一电极的面积中。

4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第二连接电极与该至少一突出部的上表面接触。

5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一接触窗沿着垂直于该共通线的延伸方向上具有两相对的第一侧壁，该第二连接电极覆盖该两相对的第一侧壁并与该第一连接电极电性连接。

6.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该至少一突出部沿着该共通线的延伸方向上具有一端部，该第二连接电极于该端部具有一断路结构。

7.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一保护层开口的尺寸大于该第一接触窗的尺寸。

8.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第三绝缘层覆盖该第一保护层开口的侧壁。

9.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，：

该主动元件包括一栅极、一半导体层、一源极以及一漏极；

该保护层具有一第二保护层开口；

该第二绝缘层与该第三绝缘层于该漏极上共同形成一第二接触窗，该第二接触窗位于该第二保护层开口内；以及

该第二电极通过该第二接触窗与该漏极电性连接。

10.如权利要求9所述的像素结构，其特征在于，更包括一扫描线与一数据线，其中该栅极与该扫描线设置于该基板上，该第一绝缘层覆盖该栅极与该扫描线，该半导体层设置于该第一绝缘层上，该源极与该漏极分别设置于该半导体层的两侧，该数据线设置于该第一绝缘层上并与该源极电性连接，并且该第二绝缘层设置于该源极、该漏极与该数据线上。

11.如权利要求9所述的像素结构，其特征在于，该第二保护层开口的尺寸大于该第二接触窗的尺寸。

12.如权利要求9所述的像素结构，其特征在于，该第三绝缘层覆盖该第二保护层开口的侧壁。

13.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该保护层包含一有机材料。

14.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一电极电性连接至一共用电压。

15.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一电极更包含一第二开口，对应该主动元件与该第一连接电极设置。