[发明专利]用于片上集成的整流桥结构有效
| 申请号： | 201710099378.5 | 申请日： | 2017-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN106847809B | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 徐义强;康明辉;范建林;朱波;曾红霞 | 申请（专利权）人： | 无锡新硅微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H02M7/06 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 聂启新 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 集成 整流 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于片上集成的整流桥结构，其特征在于，所述整流桥结构包括两个少子保护环、以及构成整流桥的第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管；
所述第一二极管和所述第二二极管分别被一个少子保护环包围；
所述少子保护环由深N阱DNW和位于所述DNW下方的N型深埋层BN构成，一个所述少子保护环贯穿所述第一二极管所在的P型外延层，另一个所述少子保护环贯穿所述第二二极管所在的P型外延层；
所述少子保护环中的所述DNW通过金属线与P型源漏PSD连接，所述PSD被浅P阱SPWELL包围。
2.根据权利要求1所述的整流桥结构，其特征在于，所述少子保护环中的所述BN与P型衬底接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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