[发明专利]一种二氧化硅厚膜的制备方法

权利要求书

1.一种二氧化硅厚膜的制备方法，其特征在于，步骤如下：

S1，选取基片，并采用LPCVD工艺在基片上生长一层多晶硅薄膜，生长的多晶硅薄膜厚度为0.7μm～1.8μm；

S2，对生成的多晶硅薄膜进行热氧化处理，热氧化温度为1000℃～1300℃，根据氧化温度由低到高，热氧化时间为78～3个小时，形成一层二氧化硅膜，形成的二氧化硅膜的厚度为1.49～4.10μm；

当多晶硅薄膜厚度为0.8μm时，所述热氧化温度为1050℃～1200℃，根据氧化温度由低到高，热氧化时间为9～4.5个小时，形成的二氧化硅膜的厚度为1.71μm；

当多晶硅薄膜厚度为1.6μm时，所述热氧化温度为1050℃～1200℃，根据氧化温度由低到高，热氧化时间为35～18个小时，形成的二氧化硅膜的厚度为3.65μm；

S3，在生成的二氧化硅膜上采用LPCVD工艺生长一层新的多晶硅薄膜，生长的多晶硅薄膜厚度为0.7μm～1.8μm；

S4，对新的多晶硅薄膜进行热氧化处理，热氧化温度为1000℃～1300℃，根据氧化温度由低到高，热氧化时间为78～3个小时，形成另一层二氧化硅膜，形成的二氧化硅膜的厚度为1.49～4.10μm；

当多晶硅薄膜厚度为0.8μm时，所述热氧化温度为1050℃～1200℃，根据氧化温度由低到高，热氧化时间为9～4.5个小时，形成的二氧化硅膜的厚度为1.71μm；

当多晶硅薄膜厚度为1.6μm时，所述热氧化温度为1050℃～1200℃，根据氧化温度由低到高，热氧化时间为35～18个小时，形成的二氧化硅膜的厚度为3.65μm；

S5，重复步骤S3和步骤S4，直至获得所需要厚度的二氧化硅厚膜。

2.根据权利要求1所述的一种二氧化硅厚膜的制备方法，其特征在于，在步骤S1和步骤S3中，生长的多晶硅薄膜厚度为0.8μm～1.6μm。

3.根据权利要求2所述的一种二氧化硅厚膜的制备方法，其特征在于，在步骤S2和步骤S4中，热氧化温度为1050℃～1200℃，根据氧化温度由低到高，热氧化时间为35～4.5个小时，形成一层二氧化硅膜，形成的二氧化硅膜的厚度为1.71～3.65μm。

4.根据权利要求1所述的一种二氧化硅厚膜的制备方法，其特征在于：在步骤S2中，所述多晶硅薄膜厚度为0.8μm，热氧化温度为1050℃，热氧化时间为9个小时，形成的二氧化硅膜的厚度为1.71μm。

5.根据权利要求1所述的一种二氧化硅厚膜的制备方法，其特征在于：在步骤S2中，所述多晶硅薄膜厚度为0.8μm，热氧化温度为1200℃，热氧化时间为4.5个小时，形成的二氧化硅膜的厚度为1.71μm。

6.根据权利要求1所述的一种二氧化硅厚膜的制备方法，其特征在于：在步骤S2中，所述多晶硅薄膜厚度为1.6μm，热氧化温度为1050℃，热氧化时间为35个小时，形成的二氧化硅膜的厚度为3.65μm。

7.根据权利要求1所述的一种二氧化硅厚膜的制备方法，其特征在于：在步骤S2中，所述多晶硅薄膜厚度为1.6μm，热氧化温度为1200℃，热氧化时间为18个小时，形成的二氧化硅膜的厚度为3.65μm。

8.根据权利要求1所述的一种二氧化硅厚膜的制备方法，其特征在于：所述基片为单晶硅片或者石英片。