[发明专利]基板处理装置、基板处理系统及基板处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于使半导体晶圆、光掩膜用玻璃基板、液晶显示用玻璃基板、等离子显示用玻璃基板、FED(Field Emission Display：场发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板等各种基板(以下，记载为“基板”)干燥的基板处理技术。

背景技术

在半导体装置或液晶显示装置等的电子部件的制造工序中，在用液体处理了基板的表面之后，一般要实施从基板表面除去液体来使基板表面干燥的处理。特别是，有一种主要以防止液体的表面张力破坏在基板表面形成的精细图案为目的，事先在图案之间填充升华性物质，在使液体成分蒸发之后使升华性物质升华的技术。

例如在日本特开2012-243869号公报所记载的技术中，向基板表面供给含有升华性物质的溶液，首先使溶液中的溶剂成分蒸发，由此图案凹部被升华性物质填满。然后，使基板升温至比升华性物质的升华温度高的温度，由此将升华性物质从基板除去。

发明内容

在上述文献记载的以往技术中，用单一的处理单元来进行从向基板供给冲洗液的冲洗工序到使溶剂从含有升华性物质的溶液中蒸发的溶剂干燥工序为止的工序。另外，作为变形例，在该现有技术文献中还记载了用相同的处理单元来进行直到使升华性物质升华的升华性物质除去工序为止的工序。

但是，在如这样的处理中，在用温度比较低的液体进行处理之后，对各个基板都会进行使基板的温度上升来使溶剂蒸发的工序，因如这样的升温、冷却的循环而引起的节拍时间(tact time)的变长或者能源利用效率的下降成为了问题。特别是，如上述以往技术那样，用不同的单元来进行溶剂干燥和升华性物质除去的情况下，由于在单元之间移动时基板温度下降，所以上述的问题变得更加突出。

本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于，在使溶剂成分在基板表面从含有升华性物质的溶液中蒸发之后使升华性物质升华的基板处理技术中，提供一种能够用较短的节拍时间且出色的能源利用效率来进行处理的技术。

本发明的基板处理装置的一个实施方式为了达到上述目的，而具有：第一腔室，液膜形成部，其在第一腔室内，在基板的表面形成液膜，液膜由含有升华性物质的溶液形成，升华性物质具有升华性，第二腔室，其接受形成有液膜的基板，板部，其设于第二腔室内，基板能够被放置于板部的上表面，温度控制部，其控制板部的上表面升温到规定温度，加热部，其在被放置于板部的基板上方，对从溶液析出的升华性物质进行加热，以使升华性物质升华。

若采用如这样的结构，则在基板形成溶液的液膜，因此在第一腔室内执行不需加热的处理。另一方面，使溶剂从液膜中蒸发并使升华性物质升华，即在第二腔室内执行需要加热的处理。因此，在第一腔室内不需要使基板升温。另外，在第二腔室内，将具有液膜的基板放置于升温了的板部，由此进行溶液中的溶剂的蒸发。因此，板部只要维持为使溶剂蒸发所需要的足够的温度即可，不需要为了处理工艺的进行而使板部的温度上升下降。

而且，加热部在溶剂蒸发之后，只要向升华性物质供给可使析出的升华性物质从已经升温至溶剂蒸发的程度的基板升华的热能就足够了。此时，不一定需要加热基板。因此，加热部所应该供给的热量和加热期间都减少了。另外，由于相对于来自板部的热能经由基板传导至升华性物质的结构，能够抑制基板的温度上升，所以也避免了因加热导致损伤基板。

如此，在本发明中，在不同的腔室内执行对基板的液膜形成处理和使溶剂从液膜中蒸发并使析出的升华性物质升华的加热处理。进一步地，在本发明中，由不同的主体进行用于使溶剂从构成液膜的溶液中蒸发的加热和用于使析出的升华性物质升华的加热。因此，实质上不需要升高降低板部的温度的循环。因此，不产生用于温度变更的等待时间，热能的损失也很少。进一步地，在从使溶剂蒸发到使升华性物质升华为止的期间，基板的温度也不发生下降。因此，能够将赋予的热能更高效地用于进行处理。即，能够以出色的能源利用效率来执行处理。

另外，本发明的基板处理装置的其他实施方式为了达到上述目的，具有：腔室，其接受在表面形成有液膜的基板，液膜由含有升华性物质的溶液形成，升华性物质具有升华性，板部，其设于腔室内，基板能够被放置于板部的上表面，温度控制部，其控制板部的上表面升温到规定温度，加热部，其在被放置于板部的基板上方，对从溶液析出的升华性物质进行加热，以使升华性物质升华。