[发明专利]一种柔性基板的制备方法在审
| 申请号： | 201710098365.6 | 申请日： | 2017-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN106935596A | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 王选芸 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 吴大建 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 制备 方法 | ||
1.一种柔性基板的制备方法，包括：
在玻璃基板上形成柔性基底；
将所述柔性基底与所述玻璃基板相剥离；
将所述柔性基底的边缘固定在所述玻璃基板上；
在所述柔性基底上完成剩余基板制程；
沿预定轨迹对所述柔性基底进行切割，以获得所述柔性基板；
其中，所述预定轨迹位于由所述边缘围成的区域的内部。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将所述柔性基底的边缘固定在所述玻璃基板上，具体包括：
将所述柔性基底平铺于所述玻璃基板的表面上；
在所述柔性基底的边缘处涂覆固定材料，并使所述固定材料与所述玻璃基板的表面接触；
对所述固定材料进行处理，以使所述柔性基底的边缘固定在所述玻璃基板上。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将所述柔性基底的边缘固定在所述玻璃基板上，具体包括：
在所述玻璃基板上涂覆固定材料，所述固定材料的涂覆位置对应于所述柔性基底的边缘；
将所述柔性基底平铺于所述玻璃基板的表面上，使所述固定材料完全被所述柔性基底的边缘覆盖；
对所述固定材料进行处理，以使所述柔性基底的边缘固定在所述玻璃基板上。
4.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述固定材料在450℃或在450℃以上的温度范围内不挥发。
5.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述固定材料与所述柔性基底的材料相同。
6.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述固定材料包括聚酰亚胺或聚萘二甲酸乙二醇酯。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，对所述固定材料进行处理，以使所述柔性基底的边缘固定在所述玻璃基板上，包括：
在200-400℃的温度范围内对所述固定材料进行高温固化，所述高温固化的持续时间为5-10min。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用激光镭射法将所述柔性基底与所述玻璃基板相剥离。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述激光的能量范围为300-500mJ/cm2，激光的扫描重叠范围为20-60％。
10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预定轨迹与所述边缘之间的最小距离保持5-10mm的偏移。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
