[发明专利]一种顶发射白光量子点场效应晶体管器件及其制备方法

权利要求书

1.一种顶发射白光量子点场效应晶体管器件，其特征在于，包括依次叠放的基底、第一电极、绝缘层、第二电极、量子点发光层以及第三电极，所述基底预先刻蚀成具有三个不同高度的表面，在相邻不同高度表面形成的阶梯位置处设置有向上延伸直至与所述第三电极下表面接触的第一绝缘隔离层和第二绝缘隔离层，所述第一电极为全反射电极，所述第二电极为透明电极，所述第三电极为半透明电极。

2.根据权利要求1所述的顶发射白光量子点场效应晶体管器件，其特征在于，所述第二电极与所述量子点发光层之间还设置有空穴传输层，所述第三电极与所述量子点发光层之间还设置有电子传输层。

3.根据权利要求1所述的顶发射白光量子点场效应晶体管器件，其特征在于，所述量子点发光层包括红光量子点发光层、绿光量子点发光层以及蓝光量子点发光层。

4.根据权利要求1所述的顶发射白光量子点场效应晶体管器件，其特征在于，所述量子点发光层的厚度为10-100nm。

5.根据权利要求1所述的顶发射白光量子点场效应晶体管器件，其特征在于，所述绝缘层、第一绝缘隔离层及第二绝缘隔离层的材料均为有机聚合物材料。

6.根据权利要求2所述的顶发射白光量子点场效应晶体管器件，其特征在于，所述顶发射白光量子点场效应晶体管器件为正型结构，包括从下至上依次叠放的基底、第一电极、绝缘层、第二电极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及第三电极，所述第二电极为阳极，第三电极为阴极。

7.根据权利要求2所述的顶发射白光量子点场效应晶体管器件，其特征在于，所述顶发射白光量子点场效应晶体管器件为反型结构，包括从下至上依次叠放的基底、第一电极、绝缘层、第二电极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层及第三电极，所述第二电极为阴极，第三电极为阳极。

8.根据权利要求6或7所述的顶发射白光量子点场效应晶体管器件，其特征在于，所述电子传输层的材料为n型ZnO、TiO₂、SnO、Ta₂O₃、AlZnO、ZnSnO、InSnO、Alq3、Ca、Ba、CsF、LiF、CsCO₃中的一种或多种。

9.根据权利要求6或7所述的顶发射白光量子点场效应晶体管器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料为PVK、Poly-TPD和TFB中的一种或多种。

10.一种顶发射白光量子点场效应晶体管器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：

A、预先将基底刻蚀成具有三个不同高度的表面，相邻不同高度的表面形成阶梯位；

B、在所述基底三个不同高度的表面上沉积非连续性的第一电极；

C、在所述第一电极表面涂布绝缘材料，并通过刻蚀处理在第一电极表面形成绝缘层以及在所述阶梯位置处形成第一绝缘隔离层和第二绝缘隔离层；

D、在所述绝缘层表面沉积第二电极；

E、在所述第二电极表面沉积量子点发光层；

F、在所述量子点发光层表面沉积第三电极。