[发明专利]放大器及其控制方法和信号处理系统有效

专利信息
申请号: 201710097069.4 申请日: 2017-02-22
公开(公告)号: CN106992762B 公开(公告)日: 2019-10-15
发明(设计)人: 马顺利;陈嘉澍 申请(专利权)人: 加特兰微电子科技(上海)有限公司
主分类号: H03G9/00 分类号: H03G9/00;H03F1/42;H03L7/087;H03L7/099
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 代理人: 蔡纯;张靖琳
地址: 201203 上海市浦东新区自*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 放大器 及其 控制 方法 信号 处理 系统
【权利要求书】:

1.一种放大器,用于将第一输入信号放大为第一输出信号,所述第一输入信号的频率受控于分频信号,所述放大器包括:

第一晶体管,其控制端接收所述第一输入信号,其输出端提供所述第一输出信号;

变压器,用于将所述第一晶体管的输出端与负载匹配连接,

其中,所述放大器还包括连接于所述变压器的初级线圈的两端之间的第一电容阵列和连接于所述变压器的次级线圈的两端之间的第二电容阵列,

所述第一电容阵列的电容值和所述第二电容阵列的电容值受控于根据所述分频信号编码产生的控制信号,使得所述放大器的中心频率与所述第一输入信号的频率之差不超过第一阈值。

2.根据权利要求1所述的放大器,其中,所述第一晶体管为MOSFET,所述第一晶体管的漏极与所述变压器的初级线圈的一端相连,所述第一晶体管的源极和所述变压器的初级线圈的另一端接地。

3.根据权利要求1所述的放大器,其中,所述放大器还包括第二晶体管,所述第一晶体管和第二晶体管均为MOSFET,所述第二晶体管的栅极接收所述第一输入信号的差分信号,所述第一晶体管与所述第二晶体管的漏极分别与所述变压器的初级线圈的两端相连,所述第一晶体管与所述第二晶体管的源极均接地,所述第二晶体管与所述第一晶体管的漏极输出所述第一输出信号的差分信号。

4.根据权利要求1所述的放大器,其中,所述第一电容阵列与所述第二电容阵列分别包括多个相互并联的支路,每个所述支路中包括串联的电容和开关,

所述控制信号为数字信号,各个所述支路中的开关分别受控于所述控制信号的对应位。

5.根据权利要求4所述的放大器,其中,在每个所述支路中,所述电容包括两个相等且对称连接于所述开关两端的电容。

6.根据权利要求4或5所述的放大器,其中,所述开关与所述电容分别由晶体管实现。

7.根据权利要求4所述的放大器,其中,所述控制信号包括用于控制所述第一电容阵列的第一控制信号和用于控制所述第二电容阵列的第二控制信号。

8.根据权利要求7所述的放大器,其中,所述第二控制信号与所述第一控制信号相同,所述第一电容阵列中的各个所述支路与所述第二电容阵列中的各个所述支路对应相同。

9.根据权利要求1所述的放大器,其中,所述变压器的初级线圈的中心抽头与供电电压相接,所述变压器的次级线圈的中心抽头与偏置电压相接。

10.根据权利要求1所述的放大器,其中,所述负载包括第二级放大电路,所述第二级放大电路的输入端与所述变压器的次级线圈耦合。

11.根据权利要求1所述的放大器,其中,所述第一阈值不超过所述放大器带宽的二分之一。

12.根据权利要求1所述的放大器,其中,所述变压器包括片上集成的变压器。

13.一种信号处理系统,包括:

本振电路,用于根据基准信号和分频信号产生第一本振信号;

混频器,用于根据所述第一本振信号和变频信号产生第一中频信号;以及

如权利要求1至12所述的任一放大器,所述第一中频信号为所述放大器接收的所述第一输入信号,所述放大器输出的第一输出信号为第二中频信号,

其中,所述系统还包括编码电路,用于根据所述分频信号产生所述控制信号。

14.根据权利要求13所述的信号处理系统,其中,所述基准信号由晶体振荡器提供。

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