[发明专利]磁控溅射腔室及磁控溅射设备

权利要求书

1.一种磁控溅射腔室，用于在基片上沉积薄膜，其特征在于，包括用于承载所述基片的基座；

所述基座的上表面倾斜设置，工艺时,所述基片上沉积薄膜厚度较薄的基片区域与靶材之间的距离小于沉积薄膜厚度较厚的基片区域与靶材之间的距离；

还包括：第一顶针和至少两个第二顶针；

所述第一顶针用于支撑所述基片的下表面；

所述第二顶针的顶端沿其升降方向设置有多个台阶，每个所述台阶用于限制并承载所述基片的边沿；

所述第一顶针和所述第二顶针均贯穿所述基座且可以升降，用以将位于所述基座上的基片顶起或将位于所述第一顶针和所述第二顶针上的基片下落至所述基座上；

所述第一顶针对应的所述基片区域与所述靶材之间的距离为第一距离；

所述第二顶针对应的所述基片区域与所述靶材之间的距离为第二距离；

当所述基片位于所述基座上时，所述第一距离小于所述第二距离。

2.根据权利要求1所述的磁控溅射腔室，其特征在于，所述基座上表面的倾斜角度小于30°。

3.根据权利要求1所述的磁控溅射腔室，其特征在于，所述基座包括托盘、本体和固定支柱；

所述托盘放置在所述本体上且一侧与所述本体动连接，所述托盘的上表面用于承载基片；

所述固定支柱的一端固定在所述本体的上表面上，另一端将所述托盘的另一侧顶起，以使所述托盘的上表面倾斜设置。

4.根据权利要求3所述的磁控溅射腔室，其特征在于，所述动连接包括铰连接。

5.根据权利要求3所述的磁控溅射腔室，其特征在于，所述托盘的上表面上设置有片槽，用于放置基片。

6.根据权利要求1所述的磁控溅射腔室，其特征在于，还包括：

偏置磁场装置，用于在承载基片的基座表面形成水平磁场，该水平磁场用于在基片上沉积具有面内各向异性的磁性薄膜。

7.根据权利要求6所述的磁控溅射腔室，其特征在于，所述偏置磁场装置包括环绕所述基座的两段呈圆弧状的磁体，二者对称环绕在所述基座的两侧，且其中一段磁体的N极与其中另一段磁体中的S极均朝向所述基座。

8.根据权利要求6所述的磁控溅射腔室，其特征在于，所述磁性薄膜包括镍铁薄膜。

9.一种磁控溅射设备，包括磁控溅射腔室，其特征在于，所述磁控溅射腔室采用权利要求1-8任意一项所述的磁控溅射腔室。