[发明专利]一种高折射率纳米无机物杂化光伏封装材料

权利要求书

1.一种高折射率纳米无机物杂化光伏封装材料，其特征在于，它通过以下方法制备得到：将100～120质量份封装胶膜基体、5～20质量份高折射率纳米无机物、0.1～5质量份交联剂、0.01～2质量份紫外光吸收剂、0.01～5质量份光稳定剂等混合均匀，然后用双螺杆挤出机挤出造粒，将造好的粒子用单螺杆挤出机挤出，挤出物经流延成膜。

2.根据权利要求1所述的高折射率纳米无机物杂化光伏封装材料，其特征在于，所述高折射率纳米无机物为粒径尺寸小于25纳米的粉体，选自非晶硅、金属单质锗(Ge)、二氧化钛(TiO₂)、氧化锆(ZrO₂)、氧化铪(HfO₂)、氧化铌(Nb₂O₅)、氧化锌(ZnO)、氧化铈(CeO₂)、五氧化二钽(Ta₂O₅)、碲化铅(PbTe)、硫化铅(PbS)、硫化锌(ZnS)、硫化铁(FeS)、硒化锌(ZnSe)、磷化镓(GaP)、磷化铟(InP)；所述二氧化钛、氧化锆、氧化铪、氧化铌、氧化锌、氧化铈、五氧化二钽通过与硅烷偶联剂表面的羟基发生溶胶凝胶反应实现表面包覆，所述碲化铅、硫化铅、硫化锌、硫化铁、硒化锌用硫酚类的化合物来包覆。

3.根据权利要求2述的高折射率纳米无机物杂化光伏封装材料，其特征在于，所述硅烷偶联剂选自γ-甲基丙烯酰氧丙基-三甲氧基硅烷、3一氨基丙基三乙氧基硅烷、异氰酸丙基三乙氧基硅烷、异丁基三乙氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧乙氧基)硅烷、γ-缩水甘油丙基-三甲氧基硅烷、N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基-三甲氧基硅烷、N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基-甲基-三甲氧基硅烷、γ-氯丙基-三甲氧基硅烷、γ-巯丙基-三甲氧基硅烷、γ-氨丙基-三甲氧基硅烷等。

4.根据权利要求2所述的高折射率纳米无机物杂化光伏封装材料，其特征在于，所述硫酚类化合物选自2-硝基硫酚、4-硝基硫酚、4-乙基硫酚、2-乙氧基硫酚、3-乙氧基硫酚、4-苯氧基硫酚、3-羟基硫酚、2，5-二乙氧基硫酚、3，4-二甲氧基硫酚、2，5-二甲氧基硫酚、2，5-二羟基硫酚、2，6-二甲基-4-硫酚、2-氯-4-氟硫酚、4-甲氧基-2-甲基硫酚、3-氟-4-甲氧基硫酚、4-氯-2，5-甲基硫酚、对羟基硫酚、2-羟基硫酚、氯硫酚、氟硫酚、溴硫酚、二氯硫酚、、二氟硫酚、三氯硫酚、三氟硫酚、四氟硫酚、五氟硫酚等。

5.根据权利要求1所述的高折射率纳米无机物杂化光伏封装材料，其特征在于：所述封装胶膜基体由乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、低密度聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚乙烯醇缩丁醛、聚氨酯弹性体、有机硅橡胶、茂金属催化聚乙烯、乙烯辛烯共聚物、乙烯戊烯共聚物中的一种或两种以上按任意配比混合组成。

6.根据权利要求1所述封装材料，其特征在于，所述交联剂为自由基热引发交联剂，由以下物质中的一种或几种按照任意配比混合组成：叔丁基过氧化碳酸异丙酯、2，5-二甲基-2，5－双(叔丁过氧基)己烷、1-双(过氧化叔丁基)-3，3，5-三甲基环己烷、叔丁基过氧化碳酸-2-乙基己酯、1，1-双(叔丁基过氧)-3，3，5-三甲基环己烷、1，1-双(叔戊基过氧)-3，3，5-三甲基环己烷、1，1-双(叔戊基过氧)环己烷、1，1-双(叔丁基过氧)环己烷、2，2-双(叔丁基过氧)丁烷、过氧化2-乙基己基碳酸叔戊酯、2，5-二甲基2，5-双(苯甲酰过氧)-己烷、过氧化碳酸叔戊酯、过氧化3，3，5三甲基己酸叔丁酯等。

7.根据权利要求1所述封装材料，其特征在于，所述紫外光吸收剂由以下物质中的一种或多种按照任意配比混合组成：2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮、2，2-四亚甲基双(3，1-苯并噁嗪-4-酮)、2-(2’-羟基-5-甲基苯基)苯并三唑、2，2’-二羟基-4，4’-二甲氧基二苯甲酮。

8.根据权利要求1所述封装材料，其特征在于，所述光稳定剂为受阻胺类光稳定剂，由以下物质中的一种或多种按照任意配比混合组成：3，5-二叔丁基-4-羟基-苯甲酸十六烷基酯、三(1，2，2，6，6-五甲基-4-哌啶基)亚磷酸酯、癸二酸双-2，2，6，6-四甲基哌啶醇酯、双-1-癸烷氧基-2，2，6，6-四甲基哌啶-4-醇癸二酸酯、丁二酸和4-羟基-2，2，6，6-四甲基-1-哌啶醇的聚合物、N，N’-双(2，2，6，6-四甲基-4-哌啶基)-1，6-己二胺和2，4-二氯-6-(1，1，3，3-四甲基丁基)氨基-1，3，5-三嗪的聚合物、N，N’-双(2，2，6，6-四甲基-4-哌啶基)-1，6-己二胺和吗啉-2，4，6-三氯-1，3，5-三嗪的聚合物等。