[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710096125.2 | 申请日： | 2017-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN107204292B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 浅井龙彦;谷口克己 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H01L21/56;H01L23/04;H01L23/043;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 孙昌浩;李盛泉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，其是将树脂壳体与层叠组件组合而成的半导体装置，所述层叠组件具有半导体元件、搭载有所述半导体元件的层叠基板和搭载有所述层叠基板的金属基板，
其中，在所述树脂壳体的角部设有切槽，
所述切槽从所述树脂壳体的与所述金属基板粘接的底部起贯通到所述树脂壳体的与所述金属基板相反方向的上部为止。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述切槽的宽度和长度中的至少一个为所述树脂壳体的内部尺寸中的长边的长度的4％以上。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述切槽的宽度和长度中的至少一个为2mm以上。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述切槽的内表面与所述树脂壳体的内表面所成的角度为90度～150度。
5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
装配层叠组件的工序，所述层叠组件是在层叠基板搭载有半导体元件，并在金属基板搭载有所述层叠基板而成；以及
将在角部设有切槽的树脂壳体与所述层叠组件进行组合的工序，
所述切槽从所述树脂壳体的与所述金属基板粘接的底部起贯通到所述树脂壳体的与所述金属基板相反方向的上部为止。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
