[发明专利]导线结构及主动元件阵列基板有效
申请号: | 201710095737.X | 申请日: | 2017-02-22 |
公开(公告)号: | CN107039464B | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 杨济纶 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 导线 结构 主动 元件 阵列 | ||
1.一种导线结构,包含:
第一导线,具有第一部、第二部以及缓冲部,其中该缓冲部电连接于该第一部与该第二部之间,该第一部的一延伸方向与该缓冲部的一延伸方向不同;以及
第二导线,具有第一侧边以及相对该第一侧边的第二侧边,其中该第二导线的该第一侧边至少重叠于该第一导线的该第一部以及该缓冲部且不重叠于该第一导线的该第二部,该第二导线的该第二侧边至少重叠于该第一导线的该第二部。
2.如权利要求1所述的导线结构,其中该第二侧边重叠于该第一导线的该缓冲部且不重叠于该第一导线的该第一部。
3.如权利要求1所述的导线结构,其中该第一导线的该第一部的该延伸方向与该第一导线的该第二部的一延伸方向实质相同。
4.如权利要求1所述的导线结构,其中该第二导线具有第一部、第二部以及缓冲部,该第二导线的该缓冲部电连接于该第二导线的该第一部与该第二部之间,其中该第二导线的该第一部的一延伸方向与该第二导线的该缓冲部的一延伸方向不同。
5.如权利要求4所述的导线结构,其中该第一导线的该缓冲部的该延伸方向与该第二导线的该缓冲部的该延伸方向实质相同。
6.如权利要求4所述的导线结构,其中该第一导线的该缓冲部与该第二导线的该缓冲部重叠。
7.如权利要求4所述的导线结构,其中该第一导线的该缓冲部与该第二导线的该缓冲部不重叠。
8.如权利要求4所述的导线结构,其中该第一导线的该第一部的该延伸方向与该第二导线的该第一部的该延伸方向实质相同。
9.如权利要求8所述的导线结构,其中该第一导线的该第二部的一延伸方向与第二导线的该第二部的一延伸方向实质相同。
10.如权利要求4所述的导线结构,其中该第一导线的该第一部与该第二部于一投影面上的垂直投影具有一第一间距于其中,该第二导线的该第一部与该第二部于该投影面上的垂直投影具有一第二间距于其中,该第一间距不大于该第二间距与该第二导线的该第一部的宽度之和。
11.如权利要求1所述的导线结构,其中该第二导线包含一长直导线,且该长直导线与该第一导线的该缓冲部至少部分重叠。
12.如权利要求11所述的导线结构,其中该第一导线的该第一部与该第二部于一投影面上的垂直投影实质相连。
13.如权利要求11所述的导线结构,还包含:
中间层,设置于该第一导线与该第二导线之间,其中该中间层将该第一导线与该第二导线分隔开来。
14.如权利要求1所述的导线结构,其中该第一导线的该第一部的该延伸方向与该第一导线的该第二部的一延伸方向不同。
15.一种主动元件阵列基板,包含:
基板,具有显示区与非显示区;
多个传输线,设置于该基板的该显示区;
驱动器,设置于该基板的该非显示区;以及
多个如权利要求1所述的导线结构,分别连接于该些传输线以及该驱动器之间。
16.如权利要求15所述的主动元件阵列基板,其中每一该些导线结构中的该第一导线的该缓冲部与该第二导线构成一重叠部,其中至少两个该些重叠部的面积不同。
17.如权利要求16所述的主动元件阵列基板,其中该些导线结构的一第一者的长度大于该些导线结构的一第二者的长度,且该些导线结构的该第一者的该重叠部的面积小于该些导线结构的该第二者的该重叠部的面积。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710095737.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的