[发明专利]晶体管的版图结构、像素驱动电路、阵列基板和显示装置有效
申请号: | 201710095713.4 | 申请日: | 2017-02-22 |
公开(公告)号: | CN108461504B | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 张露;文国哲;韩珍珍;朱修剑 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 杨波 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 版图 结构 像素 驱动 电路 阵列 显示装置 | ||
1.一种晶体管的版图结构,其特征在于,所述版图结构包括电路节点以及与所述电路节点连接的有源层;所述有源层包括第一有源层、第二有源层以及第三有源层;
与所述第一有源层相连的第一源极,与所述第二有源层相连的漏极,与所述第三有源层相连的第二源极;
分别与所述第一有源层、第二有源层和第三有源层对应的第一栅极、第二栅极和第三栅极;所述第一栅极、第二栅极以及第三栅极组成的栅极图案位于所述电路节点和所述有源层的上方;
其中,所述电路节点作为漏极与所述第一有源层和所述第三有源层相连,并作为源极与所述第二有源层相连。
2.根据权利要求1所述的一种晶体管的版图结构,其特征在于,所述第一有源层和第三有源层构成倒“U”型结构;所述第二有源层构成倒“L”型结构。
3.根据权利要求1所述的一种晶体管的版图结构,其特征在于,所述第一有源层和第二有源层构成型结构;所述第三有源层构成倒“L”型结构。
4.根据权利要求1所述的一种晶体管的版图结构,其特征在于,所述第一有源层和第二有源层构成“n”型结构;所述第三有源层构成倒“L”型结构。
5.根据权利要求1所述的一种晶体管的版图结构,其特征在于,所述第一栅极、第二栅极以及第三栅极组成的栅极图案为方形状或者多边形。
6.根据权利要求5所述的一种晶体管的版图结构,其特征在于,所述方形状包括正方形或者长方形。
7.一种像素驱动电路,其特征在于,所述像素驱动电路包括第一驱动晶体管、第二驱动晶体管和第一开关晶体管;所述第一驱动晶体管、第二驱动晶体管和第一开关晶体管构成的版图结构为权利要求1-5任一所述的版图结构。
8.根据权利要求7所述的一种像素驱动电路,其特征在于,所述第一驱动晶体管的宽长比W1/L1、所述第二驱动晶体管的宽长比W2/L2、所述第一开关晶体管的宽长比W3/L3满足以下关系:
W1=W2=W3,L1/L2=1,L3L2;或
W1=W2=W3,L1/L21,L3L2;或
W1=W2=W3,L1/L21,L3L2;或
W1=W2W3,L1/L2=1或L1/L21或L1/L21,L3L2;或
W1=W2W3,L1/L2=1或L1/L21或L1/L21,L3L2。
9.一种阵列基板,其特征在于,包括权利要求7-8任一所述的像素驱动电路。
10.一种显示装置,其特征在于,所述装置包括权利要求9所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的