[发明专利]一种三维存储器读出电路及读出方法有效
申请号: | 201710092925.7 | 申请日: | 2017-02-21 |
公开(公告)号: | CN106875963B | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 雷宇;陈后鹏;宋志棠 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | G11C5/02 | 分类号: | G11C5/02;G11C7/06;G11C7/10 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 三维 存储器 读出 电路 方法 | ||
1.一种三维存储器读出电路,其特征在于,所述三维存储器读出电路至少包括:
三维存储单元阵列,包括至少一个三维存储单元子阵列以及与所述三维存储单元子阵列对应的多个灵敏放大器,所述三维存储单元阵列中各位线分别通过传输门与对应的灵敏放大器连接;所述灵敏放大器连接读参考电路及对应的存储单元,将读参考电流与被选中的存储单元中读出的电流相比较,以产生被选中的存储单元的读出电压信号;
读参考电路,用于产生读参考电压或读参考电流,包括:参考单元、位线驱动模块、字线驱动模块、位线匹配模块、传输门寄生参数匹配模块以及第一钳位管;
其中,所述参考单元连接于参考字线与参考位线之间,用于提供参考电阻值;
所述位线驱动模块连接于所述参考位线的输入端,用于驱动所述参考位线,当不选中所述参考单元时,所述参考位线连接不选位线;
所述字线驱动模块连接于所述参考字线的输入端,用于驱动所述参考字线,当不选中所述参考单元时,所述参考字线连接不选字线;
所述位线匹配模块连接于所述参考位线与所述不选字线之间,用于提供位线寄生参数和漏电,以匹配所述三维存储单元阵列中的位线寄生参数和位线上存储单元的漏电;
所述传输门寄生参数匹配模块连接于所述参考位线与所述第一钳位管的源端之间,用于提供传输门寄生参数以匹配所述三维存储单元阵列中的传输门寄生参数;
所述第一钳位管根据所述参考电阻值、所述位线匹配模块提供的位线寄生参数和漏电及所述传输门寄生参数匹配模块提供的传输门寄生参数,得到读参考电流。
2.根据权利要求1所述的三维存储器读出电路,其特征在于:所述三维存储器读出电路还包括:连接于所述参考字线与不选位线之间的字线匹配模块,用于提供字线上的漏电以匹配所述三维存储单元阵列中字线上存储单元的漏电;所述第一钳位管根据所述参考电阻值、所述位线匹配模块提供的位线寄生参数和漏电、所述字线匹配模块提供的漏电及所述传输门寄生参数匹配模块提供的传输门寄生参数,得到读参考电流。
3.根据权利要求2所述的三维存储器读出电路,其特征在于:所述字线匹配模块包括(a-1)个并联的存储单元,其中a为所述三维存储单元阵列中连接于同一根字线的位线个数。
4.根据权利要求1所述的三维存储器读出电路,其特征在于:所述参考单元包括参考电阻和选通管,其中,所述选通管的一端接所述参考字线、一端连接所述参考电阻的一端;所述参考电阻的另一端连接所述参考位线。
5.根据权利要求4所述的三维存储器读出电路,其特征在于:所述参考电阻的阻值设在低阻态电阻最高值和高阻态电阻最低值之间。
6.根据权利要求4所述的三维存储器读出电路,其特征在于:所述选通管与存储单元中的选通管为同一类型。
7.根据权利要求1所述的三维存储器读出电路,其特征在于:所述位线匹配模块包括(n-1)个并联的存储单元,其中n为所述三维存储单元阵列中连接于同一根位线的字线个数。
8.根据权利要求1所述的三维存储器读出电路,其特征在于:所述传输门寄生参数匹配模块包括第一传输门、第二传输门、本地传输门寄生参数匹配单元及全局传输门寄生参数匹配单元;所述第一传输门及所述第二传输门串联于所述参考位线及所述第一钳位管的源端之间,所述第一传输门与所述第二传输门之间的连线作为本地参考位线,所述第二传输门与所述第一钳位管之间的连线作为全局参考位线;所述本地传输门寄生参数匹配单元连接于所述本地参考位线和不选位线之间,用于提供传输门寄生参数以匹配所述三维存储单元阵列中的本地传输门寄生参数;所述全局传输门寄生参数匹配单元连接于所述全局参考位线与地之间,用于提供传输门寄生参数以匹配所述三维存储单元阵列中的全局传输门寄生参数。
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