[发明专利]基于复合型谐振器的压控振荡器有效
申请号: | 201710092807.6 | 申请日: | 2017-02-21 |
公开(公告)号: | CN106877819B | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 章策珉 | 申请(专利权)人: | 成都仕芯半导体有限公司 |
主分类号: | H03B5/12 | 分类号: | H03B5/12 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 郭受刚 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 复合型 谐振器 压控振荡器 | ||
1.基于复合型谐振器的压控振荡器,其特征在于,包括复合型谐振器和负阻振荡电路,所述复合型谐振器包括第一LC串联谐振支路、第二LC串联谐振支路及第三LC串联谐振支路,所述第一LC串联谐振支路与第二LC串联谐振支路形成并联结构,该并联结构一端接地,另一端与第三LC串联谐振支路连接,所述第三LC串联谐振支路另一端与负阻振荡电路连接;所述第一LC串联谐振支路的谐振频率低于第二LC串联谐振支路的谐振频率;所述第一LC串联谐振支路中的电容采用变容二极管构成的可变电容,所述第二LC串联谐振支路中的电容采用固定电容。
2.根据权利要求1所述的基于复合型谐振器的压控振荡器,其特征在于,所述第一LC串联谐振支路采用多级LC串联谐振单元级联的结构,每一级LC串联谐振单元由一个电容和一个固定电感串联构成。
3.根据权利要求1所述的基于复合型谐振器的压控振荡器,其特征在于,所述第二LC串联谐振支路采用多级LC串联谐振单元级联的结构,每一级LC串联谐振单元由一个电容和一个固定电感串联构成。
4.根据权利要求1所述的基于复合型谐振器的压控振荡器,其特征在于,所述第一LC串联谐振支路和第二LC串联谐振支路中的电容采用固定电容、变容二极管构成的可变电容、背对背式的变容二极管构成的可变电容、开关控制构成的开关电容、以及由一个固定电容与一个可变电容并联形成的可变电容中的任意一种。
5.根据权利要求1~4中任意一项所述的基于复合型谐振器的压控振荡器,其特征在于,所述负阻振荡电路包括第一NPN三极管(Q1)、第四电容(C4)、第五电容(C5)、第三电阻(R3)及第五电感(L5),所述第四电容(C4)两端分别与第一NPN三极管(Q1)基极和发射极连接,第一NPN三极管(Q1)集电极外接电源(VCC),所述第三电阻(R3)两端分别与第一NPN三极管(Q1)发射极和第五电感(L5)连接,所述第五电感(L5)相对连接第三电阻(R3)端的另一端接地,所述第五电容(C5)一端连接在第四电容(C4)与第一NPN三极管(Q1)发射极之间的线路上,其另一端接地;所述第三LC串联谐振支路连接负阻振荡电路的一端与第一NPN三极管(Q1)的基极连接。
6.根据权利要求5所述的基于复合型谐振器的压控振荡器,其特征在于,所述负阻振荡电路还包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)及第四电感(L4),所述第四电感(L4)一端连接在第三LC串联谐振支路与第一NPN三极管(Q1)基极之间的线路上,其另一端与第一电阻(R1)连接,所述第一电阻(R1)相对连接第四电感(L4)端的另一端外接电源(VCC);所述第二电阻(R2)一端连接在第一电阻(R1)与第四电感(L4)之间的线路上,其另一端接地。
7.根据权利要求6所述的基于复合型谐振器的压控振荡器,其特征在于,所述负阻振荡电路还包括第六电容(C6),所述第六电容(C6)一端连接在第一NPN三极管(Q1)集电极与电源(VCC)之间的线路上,其另一端接地。
8.压控振荡器,其特征在于,采用两个权利要求1~7中任意一项所述的压控振荡器构成推挽式压控振荡器结构,该推挽式压控振荡器结构的输出端连接一缓冲放大器(A1)或倍频器。
9.压控振荡器,其特征在于,采用两个权利要求1~7中任意一项所述的压控振荡器构成差动式压控振荡器结构。
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