[发明专利]等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理方法，包括：

粘附工序，在具备第一主面和所述第一主面的相反侧的第二主面的基板的所述第一主面粘附树脂膜；

图案化工序，在所述粘附工序之后，对所述树脂膜进行图案化，形成具有使所述基板的被处理区域露出的开口部的掩模；

第一等离子体工序，在所述图案化工序之后，在包含第一气体的压力为0.1Pa～100Pa的减压环境中生成所述第一气体的第一等离子体，使所述掩模暴露于所述第一等离子体，并且用所述第一等离子体对所述掩模进行加热而使所述掩模的至少一部分软化，从而减少所述掩模与所述第一主面之间的空隙；以及

第二等离子体工序，在所述第一等离子体工序之后，在包含第二气体的环境中用所述第二气体生成第二等离子体，并使从所述开口部露出的所述被处理区域暴露于所述第二等离子体，从而对所述被处理区域进行蚀刻，

所述第一等离子体工序和所述第二等离子体工序在相同的空间内连续地进行。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，所述第一气体包含从由氩、氧、氮以及氦构成的组中选择的至少一种。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，所述图案化工序包括通过湿式蚀刻除去所述树脂膜的与所述开口部对应的部分的步骤。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，所述图案化工序包括利用激光进行划刻而除去所述树脂膜的与所述开口部对应的部分的步骤。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的等离子体处理方法，所述第二等离子体工序包括将所述被处理区域从所述第一主面蚀刻至所述第二主面而将所述基板单片化的步骤。