[发明专利]一种量子点发光二极管器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201710090166.0 | 申请日： | 2017-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN108461590A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 刘佳;曹蔚然;钱磊 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子点 电子传输层 卤素单质 发光层 发光二极管器件 悬挂键 制备 发光层表面 空穴传输层 空穴注入层 氧化物表面 第二电极 第一电极 电子空穴 钝化金属 发光效率 复合效率 激子 捕获 | ||
1.一种量子点发光二极管器件，依次包括第一电极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层以及第二电极，其特征在于，所述电子传输层和量子点发光层之间设置有第一卤素单质层。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述第一卤素单质层的厚度为10-40nm。
3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述第一卤素单质层的材料为氟、氯、溴、碘中的一种。
4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述量子点发光二极管器件为正型器件结构，从上至下依次包括第一电极、电子传输层、第一卤素单质层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层以及第二电极；所述第一电极为阴极，第二电极为阳极。
5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述量子点发光二极管器件为反型器件结构，从下至上依次包括第一电极、电子传输层、第一卤素单质层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层以及第二电极；所述第一电极为阴极，第二电极为阳极。
6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述第一电极与电子传输层之间设置有第二卤素单质层。
7.根据权利要求1所述的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述量子点发光层的材料为II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族单质中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述量子点发光层和电子传输层的厚度均为30-50nm。
9.根据权利要求1所述的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为10-100nm。
10.一种量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：
A、先在含有第一电极的衬底表面沉积电子传输层；
B、先将制备好的电子传输层放置在加热台上加热，之后将卤素单质溶液滴加在所述电子传输层表面，待表面溶液蒸干之后冷却，得到第一卤素单质层；
C、在第一卤素单质层表面沉积量子点发光层；
D、在量子点发光层表面沉积空穴传输层；
E、在空穴传输层表面沉积空穴注入层；
F、在空穴注入层表面蒸镀第二电极。
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