[发明专利]元件芯片的制造方法有效
申请号: | 201710088563.4 | 申请日: | 2017-02-17 |
公开(公告)号: | CN107180753B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 置田尚吾;针贝笃史 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 齐秀凤 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 元件 芯片 制造 方法 | ||
1.一种元件芯片的制造方法,将具备第1主面以及与第1主面相反的一侧的第2主面且具备由分割区域划定的多个元件区域的基板,在所述分割区域进行分割来形成多个元件芯片,
所述元件芯片的制造方法包括:
准备工序,准备将所述第1主面粘接到保持片而保持在所述保持片的基板;
载置工序,将保持了所述基板的所述保持片载置到设置在等离子体处理装置内的载置台;和
等离子体切割工序,将所述基板的所述分割区域从所述第2主面等离子体蚀刻到所述第1主面,将所述基板单片化为多个元件芯片,
所述等离子体切割工序包括:
第1等离子体蚀刻工序,在所述载置台与所述保持片之间供给冷却用气体,同时等离子体蚀刻所述分割区域的厚度的一部分;和
第2等离子体蚀刻工序,在所述第1等离子体蚀刻工序之后,停止所述冷却用气体的供给,等离子体蚀刻所述分割区域的剩余部分,
所述等离子体切割工序在对所述载置台施加了高频电力的状态下进行,
所述第1等离子体蚀刻工序中施加给所述载置台的所述高频电力,大于所述第2等离子体蚀刻工序中施加给所述载置台的所述高频电力。
2.根据权利要求1所述的元件芯片的制造方法,其中,
在所述分割区域的剩余厚度大于20μm的时刻,结束所述第1等离子体蚀刻工序,开始所述第2等离子体蚀刻工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造