[发明专利]一种宽光谱热释电探测器吸收膜系结构及其制备方法

权利要求书

1.一种宽光谱热释电探测器吸收膜系结构，该膜系结构位于热释电探测器敏感单元的顶层，其特征在于，该膜系结构包括底层金属薄膜、中间层金属薄膜和顶层金属薄膜，底层金属薄膜、中间层金属薄膜、顶层金属薄膜的孔隙率依次增大；

其制备方法包括以下步骤：

(1)在热释电敏感单元的顶层采用磁控溅射法制备致密化的底层金属薄膜，具体为：采用磁控溅射法制备底层金属薄膜，以铋、铝、钛、镍、铬或者它们的合金为材料，工作气压控制在4Pa-6Pa，溅射电流为0.4A-0.6A，同时控制薄膜孔隙率范围在15～20％，薄膜厚度范围在8nm-12nm；

(2)在步骤(1)所得的致密化的底层金属薄膜上采用磁控溅射法制备疏松的中间层金属薄膜，具体为：采用磁控溅射法制备中间层金属薄膜，以铋、铝、钛、镍、铬或者它们的合金为材料，工作气压控制在8Pa-10Pa，溅射电流范围为0.2A-0.3A，同时控制薄膜孔隙率范围在30～35％，薄膜厚度范围在10nm-15nm；

(3)在步骤(2)所得中间层金属薄膜上采用蒸发法或磁控溅射法制备疏松的顶层金属薄膜,具体为：采用磁控溅射法制备顶层金属薄膜，以铋、铝、钛、镍、铬或者它们的合金为材料，工艺气压为12Pa-14Pa，溅射电流为0.1A，同时控制薄膜孔隙率范围在45～50％，薄膜厚度范围在10nm-15nm；或者，采用蒸发方法制备顶层金属薄膜，以黑金、铋、铝、钛、镍、铬或者它们的合金为材料，调节N₂气压为20Pa，控制膜厚低于20nm，形成疏松的多孔状金属层，孔隙率范围在45～50％。

2.根据权利要求1所述的一种宽光谱热释电探测器吸收膜系结构，其特征在于，该膜系结构在1μm～20μm波段红外吸收率优于60％。