[发明专利]一种电熔丝器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710087199.X | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN108461476B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电熔丝器件 熔断 隔离结构 衬底 阱区 半导体 阴极 阳极 导电层 电阻 电流通道 固定电阻 电连接 可控 编程 制造 覆盖 | ||
1.一种电熔丝器件，其特征在于，所述器件包括：
半导体衬底，所述半导体衬底中形成有阱区，所述阱区中形成有隔离结构；和
在所述半导体衬底上形成的导电层，所述导电层包括覆盖所述隔离结构的所述电熔丝器件的熔断部，以及分别与所述隔离结构两侧的阱区电连接的所述电熔丝器件的阴极和阳极，所述熔断部位于所述阴极和阳极之间。
2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述导电层为多晶硅层。
3.如权利要求2所述的器件，其特征在于，所述多晶硅层为多晶硅内连层。
4.如权利要求2所述的器件，其特征在于，还包括在所述多晶硅层上形成的金属硅化物层。
5.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述隔离结构两侧的阱区中形成有与所述阴极和阳极电连接的重掺杂有源区。
6.一种电熔丝器件，其特征在于，所述器件包括：
半导体衬底，所述半导体衬底中形成有隔离结构；和
所述隔离结构上的叠层，所述叠层包括从下到上依次层叠的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层与所述第二导电层具有不同的电阻；
其中，所述叠层包括形成在所述第一导电层和第二导电层中的所述电熔丝器件的阴极和阳极，以及位于所述阴极和阳极之间的所述电熔丝器件的熔断部。
7.如权利要求6所述的器件，其特征在于，所述第一导电层为第一多晶硅层，所述第二导电层为第二多晶硅层。
8.如权利要求7所述的器件，其特征在于，所述第二多晶硅层为多晶硅内连层。
9.如权利要求7所述的器件，其特征在于，所述第一多晶硅层为多晶硅栅极层。
10.如权利要求7所述的器件，其特征在于，所述第一多晶硅层较所述第二多晶硅层电阻大。
11.如权利要求7所述的器件，其特征在于，还包括在所述第二多晶硅层上形成的金属硅化物层。
12.一种电熔丝器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有阱区，在所述阱区中形成有隔离结构；
在所述半导体衬底上形成导电层，图案化所述导电层以形成分别与所述隔离结构两侧的阱区电连接的所述电熔丝器件的阴极和阳极，以及位于所述阴极和阳极之间的熔断部。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述导电层为多晶硅层。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述多晶硅层为多晶硅内连层。
15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，还包括在所述多晶硅层上形成金属硅化物层。
16.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述隔离结构两侧的阱区中形成有与所述阴极和阳极电连接的重掺杂有源区。
17.一种电熔丝器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有隔离结构；
在所述隔离结构上形成叠层，所述叠层包括从下到上依次层叠的第一导电层和第二导电层，图案化所述第一导电层和所述第二导电层以形成所述电熔丝器件的阴极和阳极，以及位于所述阴极和阳极之间的熔断部，其中，所述第一导电层与所述第二导电层图案化后具有不同的电阻。
18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述第一导电层为第一多晶硅层，所述第二导电层为第二多晶硅层。
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