[发明专利]显示基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种显示基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)具有体积小，功耗低，无辐射等特点，近年来得到迅速发展，在当前的平板显示器市场中占据主导地位。TFT-LCD的主体结构为液晶面板，液晶面板包括对盒的薄膜晶体管阵列基板和彩膜基板，液晶分子填充在阵列基板和彩膜基板之间。液晶面板通过控制公共电极和像素电极来形成驱动液晶分子偏转的电场，实现灰阶显示，彩膜基板上的滤光层用于实现彩色显示。

目前，TFT-LCD按照显示模式可以分为：扭曲向列(TN，Twisted Nematic)型、平面转换(IPS，In Plane Switching)型和高级超维场开关(ADS，Advanced Super Dimension Switch)型。其中，ADS型TFT-LCD主要是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。ADS技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。

ADS型TFT-LCD的公共电极和像素电极均形成在阵列基板上，像素电极与公共电极的交叠区域构成存储电容，由于像素电极与公共电极的交叠面积比较大，导致显示装置的存储电容过大，使得TFT充电时比较困难。存储电容的大小与像素电极和公共电极之间的距离成反比，通过增加像素电极与公共电极之间的距离，可以实现降低存储电容的目的，但是如果像素电极与公共电极之间的距离增大，又需要更高的驱动电压来维持像素电极与公共电极之间电场的强度，即在降低存储电容的同时需要提高显示装置的驱动电压。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够在降低显示装置的存储电容的同时，降低显示装置的驱动电压。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种显示基板，包括位于衬底基板上的像素电极和公共电极；

所述像素电极包括间隔设置的多个子像素电极；

所述公共电极包括不同高度的第一部分和第二部分，所述第一部分与所述像素电极所在平面之间的距离大于所述第二部分与所述像素电极所在平面之间的距离，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影与所述子像素电极在所述衬底基板上的正投影存在重合区域，所述第二部分在所述衬底基板上的正投影与相邻子像素电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影存在重合区域。

进一步地，所述显示基板还包括位于所述公共电极背离所述像素电极一侧、间隔设置的多个凸起，所述公共电极位于所述凸起上的部分为所述第二部分，所述公共电极位于相邻凸起之间的部分为所述第一部分。

进一步地，所述子像素电极在所述衬底基板上的正投影落入所述第一部分在所述衬底基板上的正投影内，所述第二部分在所述衬底基板上的正投影落入相邻子像素电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影内。

进一步地，相邻子像素电极之间的间隙为第一间隙，相邻凸起之间的间隙为第二间隙，所述子像素电极与所述第二间隙一一对应，所述凸起与所述第一间隙一一对应，所述子像素电极的宽度与所述第一间隙的宽度之和等于所述凸起的宽度与所述第二间隙的宽度之和，且所述子像素电极在垂直于延伸方向的宽度方向上的中心与对应第二间隙在宽度方向上的中心位于同一直线上，所述凸起在垂直于延伸方向的宽度方向上的中心与对应第一间隙在宽度方向上的中心位于同一直线上。

进一步地，所述子像素电极的宽度为2～5um，所述第一间隙的宽度为4～10um；

所述凸起的宽度为2～10um，所述第二间隙的宽度为2～10um，所述凸起的高度小于1um。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。

本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，包括：

在衬底基板上形成包括不同高度的第一部分和第二部分的公共电极；

形成与所述公共电极绝缘的像素电极，所述像素电极包括间隔设置的多个子像素电极；