[发明专利]一种有机发光二极管器件的薄膜封装构件在审
| 申请号： | 201710085113.X | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN108461642A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 肖玲 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海隆天律师事务所 31282 | 代理人： | 臧云霄;胡洁 |
| 地址： | 201506 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜封装 有机发光二极管器件 有机膜层 纳米颗粒 有机发光二极管 有机发光显示器 侧向 交替层叠 无机膜层 抗磨损 阻挡层 粒径 水氧 正向 损伤 入侵 增设 应用 | ||
1.一种有机发光二极管器件的薄膜封装构件，所述薄膜封装构件包括至少一层无机膜层和至少一层有机膜层，所述无机膜层与所述有机膜层交替层叠地设置，其特征在于：
所述有机膜层中含有纳米颗粒，
所述纳米颗粒采用纳米SiNx、纳米SiO2、纳米Al2O3、纳米TiO2、纳米ZrO2、纳米MgO或纳米HfO2中的任意一种或几种的组合，其中，所述纳米SiNx的x取值范围为0.5～2；
所述纳米颗粒的平均粒径为10nm～50nm；
以所述有机膜层的总重量为基准，所述纳米颗粒的混合比例为0.1％～80％。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管器件的薄膜封装构件，其特征在于：所述有机膜层的材料为丙烯醛基聚合物、硅基聚合物或者环氧基聚合物中的任意一种或几种的组合；
所述有机膜层的厚度为0.5μm～30μm。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管器件的薄膜封装构件，其特征在于：所述有机膜层的材料为环氧树脂、丙烯酸酯、聚酰亚胺树脂、硅树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸酯或聚苯乙烯。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管器件的薄膜封装构件，其特征在于：所述无机膜层的材料为SiNx、SiO2、SiON、SiCN、Al2O3、AlN、AlON、MgO、CaO、TiO2、ZrO、ZnO2、HfO2中的任意一种或几种的组合，且其中当所述无机材料选择SiNx时，x的取值范围为0.5～2；
所述无机膜层的厚度为50nm～20μm。
5.如权利要求1至4中任意一项所述的薄膜封装构件，其特征在于：
所述薄膜封装构件具有2～100层的结构，
所述薄膜封装构件的总厚度为0.5μm～50μm。
6.如权利要求1至4中任意一项所述的薄膜封装构件，其特征在于：
以所述有机膜层的总重量为基准，所述纳米颗粒的混合比例为10％～30％。
7.一种有机发光二极管器件，其包括：
衬底；
显示元件，位于所述衬底上，以及
薄膜封装构件，其位于所述衬底上用于将所述显示元件封装于所述衬底上，其特征在于：
所述薄膜封装构件采用如权利要求1至6中任意一项所述的薄膜封装构件。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管器件，其特征在于：
所述薄膜封装构件中，最靠近所述显示元件的一层为所述有机膜层。
9.如权利要求7所述的有机发光二极管器件，其特征在于：
所述衬底为一柔性衬底。
10.一种有机发光显示器，其采用如权利要求7至9任意一项所述的有机发光二极管器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
