[发明专利]光发送器有效
申请号: | 201710084829.8 | 申请日: | 2017-02-17 |
公开(公告)号: | CN107104738B | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 林周作;西川智志;秋山浩一;柳生荣治 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H04B10/556 | 分类号: | H04B10/556 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张丽 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
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1.一种光发送器,具备:
分路部,将入射的光分路为2路;
马赫-曾德尔型的第1光调制器、第2光调制器,对通过所述分路部分路出的各路光进行调制;
第1半导体光放大器、第2半导体光放大器,分别连接于所述第1光调制器、所述第2光调制器的后级;
第1检测器、第2检测器,分别检测所述第1半导体光放大器、所述第2半导体光放大器的光输出强度;
控制部,根据所述第1检测器、所述第2检测器的检测值,设定所述第1半导体光放大器、所述第2半导体光放大器的增益,以使得所述第1半导体光放大器、所述第2半导体光放大器的光输出强度相等;以及
合成部,对所述第1半导体光放大器、所述第2半导体光放大器的各自的输出光进行合成,
所述第1检测器连接在所述第1半导体光放大器与所述合成部之间,检测所述第1半导体光放大器的光输出强度,
所述第2检测器连接在所述第2半导体光放大器与所述合成部之间,检测所述第2半导体光放大器的光输出强度,
所述第1光调制器、所述第2光调制器、所述第1半导体光放大器以及所述第2半导体光放大器集成于同一基板上。
2.根据权利要求1所述的光发送器,其特征在于,
所述控制部根据使所述第1半导体光放大器、所述第2半导体光放大器的增益按时间周期性地变动时的所述第1检测器、所述第2检测器的检测值,反复调整所述第1半导体光放大器、所述第2半导体光放大器的增益。
3.一种光发送器,具备:
分路部,将入射的光分路为2路;
马赫-曾德尔型的第1光调制器、第2光调制器,对通过所述分路部分路出的各路光进行调制;
第1半导体光放大器、第2半导体光放大器,分别连接于所述第1光调制器、所述第2光调制器的后级;
合成部,对所述第1半导体光放大器、所述第2半导体光放大器的各自的输出光进行合成;
第1检测器,配置于所述第1半导体光放大器的前级,检测所述第1光调制器的光输出强度;
第2检测器,配置于所述第2半导体光放大器的前级,检测所述第2光调制器的光输出强度;
第3检测器,检测所述合成部的光输出强度;以及
控制部,根据所述第1检测器、所述第2检测器以及所述第3检测器的检测值,设定所述第1半导体光放大器、所述第2半导体光放大器的增益,以使得所述第1半导体光放大器、所述第2半导体光放大器的光输出强度相等,且所述第1半导体光放大器的增益为目标增益以下且所述第2半导体光放大器的增益为目标增益以下,
所述第1半导体光放大器、所述第2半导体光放大器的所述目标增益分别是抑制调制光的传送性能恶化的增益的上限值。
4.根据权利要求3所述的光发送器,其特征在于,
所述控制部根据使所述第1半导体光放大器、所述第2半导体光放大器的增益按时间周期性地变动时的所述第1检测器、所述第2检测器以及所述第3检测器的检测值,反复调整所述第1半导体光放大器、所述第2半导体光放大器的增益。
5.一种光发送器,具备:
分路部,将入射的光分路为2路;
马赫-曾德尔型的第1光调制器、第2光调制器,对通过所述分路部分路出的各路光进行调制;
第1半导体光放大器、第2半导体光放大器,分别连接于所述第1光调制器、所述第2光调制器的后级;
合成部,对所述第1半导体光放大器、所述第2半导体光放大器的各自的输出光进行合成;
检测器,检测所述合成部的光输出强度;以及
控制部,根据所述检测器的检测值,控制所述第1半导体光放大器、所述第2半导体光放大器的增益,以使得所述第1半导体光放大器、所述第2半导体光放大器的光输出强度相等,
所述控制部在使所述第2半导体光放大器的增益为零的状态下调整所述第1半导体光放大器的增益,在使所述第1半导体光放大器的增益为零的状态下调整所述第2半导体光放大器的增益。
6.根据权利要求5所述的光发送器,其特征在于,
所述控制部根据使所述第1半导体光放大器、所述第2半导体光放大器的增益按时间周期性地变动时的所述检测器的检测值,反复调整所述第1半导体光放大器、所述第2半导体光放大器的增益。
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