[发明专利]一种氧化钨纳米棒及其制备方法有效
申请号: | 201710084748.8 | 申请日: | 2017-02-16 |
公开(公告)号: | CN106830086B | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 曹仕秀;韩涛;彭玲玲;赵聪 | 申请(专利权)人: | 重庆文理学院 |
主分类号: | C01G41/02 | 分类号: | C01G41/02;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京挺立专利事务所(普通合伙) 11265 | 代理人: | 王震秀 |
地址: | 402160 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化钨 纳米 及其 制备 方法 | ||
一种氧化钨纳米棒,所述晶型在衍射角度2θ在15.32°、29.32°、30.68°、35.48°、38.76°、46.56°、50.92°、53.48°、59.80°、60.52°、63.46°、65.72°、71.32°处有衍射峰,本发明氧化钨纳米棒吸收峰发生红移现象,辐射光谱区域扩大,对400~450nm的光也有一定吸收,制备方法简单可行,成品纯度高达98.7%,产品转移率以钨酸钠计高达93.8%,易实现大批量生产,制备原材料简单易得,价格低廉,产品尺寸均匀,紫外吸收光谱红移,值得市场推广应用。
技术领域
本发明涉及一种氧化钨纳米材料,尤其涉及一种氧化钨纳米棒及其制备方法。
背景技术
氧化钨是一种n型半导体材料,自从发现其光致变色现象以来由于其独特的光学性质,在信息显示器件、高敏度光存储材料等方面的显示出巨大应用前景,这些器件的性能在很大程度上取决于氧化钨纳米结构单元的尺寸、形貌及其组装的纳米结构,正是由于材料的结构在其性能中的决定性作用。目前的材料学家已经制备出了形貌各异的氧化钨纳米材料。
目前,现有各种形貌氧化钨纳米材料的紫外-可见漫反射吸收光谱,主要吸收峰都为波长小于350nm的紫外光区的能量,对可见光区的蓝紫光仅有微弱的吸收。
发明内容
本发明目的在于提供一种氧化钨纳米棒新晶型,该氧化钨纳米棒在辐射光谱区域具有红移现象。
本发明另一目的在于提供上述氧化钨纳米棒晶型的制备方法。
本发明目的通过如下技术方案实现:
一种氧化钨纳米棒晶型,其特征在于:所述晶型在衍射角度2θ在15.32°、29.32°、30.68°、35.48°、38.76°、46.56°、50.92°、53.48°、59.80°、60.52°、63.46°、65.72°、71.32°处有衍射峰。
具体地说,上述氧化钨纳米棒晶型,其特征在于:它具有如图1所示的X-射线粉末衍射图。
本发明氧化钨纳米棒对400~450nm的光有较强的吸收,即氧化钨纳米棒的吸收峰发生红移现象,该氧化钨纳米棒具有如图2所示的UV图谱。
本发明氧化钨纳米棒晶型,其特征在于:它的直径为25~50nm左右,长度在600~800nm左右。
本发明氧化钨纳米棒的制备方法,其特征在于,它是按如下步骤制得的:
1.取0.009~0.011mol的钨酸钠和0.01mol~0.1mol的十六烷基三甲基溴化铵(CTAB),溶于20ml~50ml的蒸馏水中,搅拌均匀,备用;
2.将上述溶液逐滴滴入4~6mL浓度为3mol/L的盐酸中,移入水浴反应器里,置于120℃搅拌2h使之反应完全,离心沉降,用蒸馏水、酒精反复洗涤3~4次,备用;
3.将步骤2中洗涤后的产品置于真空干燥箱中,设置温度60~80℃,真空度0.05~0.08MPa,干燥6~8小时后取出,置于马弗炉中,设置温度280~350℃,灼烧0.5~1.5h,得到黄色粉末,即得。
进一步,上述氧化钨纳米棒的制备方法,其特征在于,它是按如下步骤制得的:
1.取0.01mol的钨酸钠和0.01mol的十六烷基三甲基溴化铵,溶于30mL蒸馏水中,搅拌均匀,备用;
2.将上述溶液逐滴滴入5mL浓度为3mol/L的盐酸中,移入水浴反应器里,置于120℃搅拌2h使之反应完全,离心沉降,用蒸馏水、酒精反复洗涤4次,备用;
3.取步骤2中洗涤后的产品置于真空干燥箱中,设置80℃,真空度0.07MPa干燥7h后取出,置于马弗炉中,设置温度300℃灼烧1h,得到黄色粉末,即得。本发明具有如下的有益效果:
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