[发明专利]复合物、制备其的组合物和方法、包括其的复合膜和器件

权利要求书

1.半导体纳米晶体-聚合物复合物，包括：

半导体纳米晶体；

聚合物，其具有能够与所述半导体纳米晶体的表面结合的羧酸根阴离子基团(-COO^-)；和

不来自于所述半导体纳米晶体并且能够与所述羧酸根阴离子基团结合的金属阳离子，

其中所述具有羧酸根阴离子基团的聚合物为包括亚烷基结构单元和由化学式1表示的结构单元的聚合物：

[化学式1]

其中，在化学式1中，

R¹为取代或未取代的C2～C20直链或支链亚烷基，

R²为氢或甲基，和

R³为单键、取代或未取代的C1～C50亚烷基、或者取代或未取代的C2～C50亚烯基，

其中所述金属阳离子为选自如下的金属的阳离子：碱土金属、过渡元素、12族元素、13族元素、及其组合，

其中基于100重量份的所述半导体纳米晶体，以50～10,000重量份的量包括所述具有羧酸根阴离子基团的聚合物，和

其中基于1摩尔的所述聚合物的所述羧酸根阴离子基团，所述金属阳离子以0.1～1.5摩尔的量存在。

2.根据权利要求1所述的半导体纳米晶体-聚合物复合物，其中所述半导体纳米晶体选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物、及其组合。

3.根据权利要求1所述的半导体纳米晶体-聚合物复合物，其中所述具有羧酸根阴离子基团的聚合物以1～90摩尔％的量包括含有羧酸根阴离子基团的结构单元。

4.根据权利要求1所述的半导体纳米晶体-聚合物复合物，其中基于100重量份的所述半导体纳米晶体，以75～5,000重量份的量包括所述具有羧酸根阴离子基团的聚合物。

5.根据权利要求1所述的半导体纳米晶体-聚合物复合物，其中所述具有羧酸根阴离子基团的聚合物选自聚(烯烃-共-丙烯酸)、聚(烯烃-共-甲基丙烯酸)、及其组合。

6.根据权利要求1所述的半导体纳米晶体-聚合物复合物，其中基于1摩尔的所述聚合物的所述羧酸根阴离子基团，所述金属阳离子以0.3～1.5摩尔的量存在。

7.根据权利要求1所述的半导体纳米晶体-聚合物复合物，其中所述过渡元素为稀土元素。

8.根据权利要求1所述的半导体纳米晶体-聚合物复合物，其中所述金属阳离子为选自以下的金属的阳离子：Mg、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、In、Ba、Au、Hg、Tl、及其组合。

9.复合膜，其包括根据权利要求1-8中任一项所述的半导体纳米晶体-聚合物复合物和所述半导体纳米晶体-聚合物复合物分散于其中的基体。

10.光电子器件，其包括光源、和设置在所述光源上的包括根据权利要求1-8中任一项所述的半导体纳米晶体-聚合物复合物的光转换层。

11.根据权利要求10所述的光电子器件，其中所述光电子器件进一步包括在所述光源和包括所述半导体纳米晶体-聚合物复合物的光转换层之间的包括有机/无机混杂聚合物的聚合物层。

12.根据权利要求10所述的光电子器件，其中所述光电子器件包括：光源；设置在所述光源上的第一基体；设置在所述第一基体上并覆盖所述第一基体的透明板；和存在于所述透明板上的所述半导体纳米晶体-聚合物复合物和第二基体。

13.根据权利要求12所述的光电子器件，其中所述光电子器件进一步包括在所述光源与所述透明板之间的在所述第一基体中的在与所述光源平行的方向上存在的包括有机/无机混杂聚合物的聚合物层。