[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及电子设备有效
| 申请号： | 201710084366.5 | 申请日： | 2017-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN106876476B | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 何晓龙;李东升;班圣光;黄睿;米东灿 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L27/12;H01L21/77;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 电子设备 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
衬底；
栅极；
栅绝缘层；
有源层，所述有源层的材料为多晶硅；
源漏电极；
保护结构，所述保护结构设置在所述源漏电极靠近所述栅极的表面，且与所述有源层相接触，所述保护结构的材料为氧化物半导体，所述氧化物半导体包括铟镓锌氧化物、氧化铟锌和氧化锌中的至少一种；
欧姆接触结构，所述欧姆接触结构设置在所述保护结构和所述源漏电极之间；
其中，所述欧姆接触结构采用干法刻蚀形成，所述保护结构采用湿法刻蚀形成，
所述保护结构在所述衬底上的正投影和所述欧姆接触结构在所述衬底上的正投影的形状相同。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述欧姆接触结构的材料为n+a-Si。
4.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-3中任一项所述的薄膜晶体管。
5.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求4所述的阵列基板。
6.一种制备薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括：
S100：在衬底上形成栅极和栅绝缘层；
S200：形成有源层，所述有源层的材料为多晶硅；
S300：在所述有源层和栅绝缘层远离所述衬底的表面上依次形成保护层、欧姆接触层和电极层，所述保护结构的材料为氧化物半导体，所述氧化物半导体包括铟镓锌氧化物、氧化铟锌和氧化锌中的至少一种；
S400：通过构图工艺依次形成源漏电极、欧姆接触结构和保护结构；
其中，所述欧姆接触结构采用干法刻蚀形成，所述保护结构采用湿法刻蚀形成，
所述保护结构在所述衬底上的正投影和所述欧姆接触结构在所述衬底上的正投影的形状相同。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述通过构图工艺依次形成源漏电极、欧姆接触结构和保护结构，包括：
对电极层进行湿法刻蚀，形成源漏电极；
对欧姆接触层进行干法刻蚀，形成欧姆接触结构；
对保护层进行湿法刻蚀形成保护结构。
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