[发明专利]一种下变频混频器

说明书

本发明涉及一种下变频混频器，至少包括一条变频支路，所述变频支路包括：射频输入阻抗匹配及电压到电流转换电路，用于接收射频输入信号j，并将输入信号j转换成电流形式的输入信号k；开关电路，用于对电流形式的输入信号k完成下变频功能，得到输入信号m；电流到电压转换及增益控制电路，用于将输入信号m转换成电压形式的输入信号n；然后对输入信号n进行增益控制，得到幅度合适的低频电压信号。

技术领域

本发明涉及通信技术领域，更具体地，涉及一种下变频混频器。

背景技术

传统无线信号接收系统通常由低噪声放大器（LNA）、下变频混频器、滤波器（Filter）和可变增益放大器（VGA）组成。其中一般射频信号经低噪声放大器和下变频混频器处理后得到一低频信号，滤波器和可变增益放大器再对这一信号进行放大滤波处理。低噪声放大器和下变频混频器又称射频前端电路，滤波器和可变增益放大器又称基带信号处理电路。射频前端电路的性能对整个无线接收系统有很大影响，特别对系统的噪声和带外干扰有很大影响。所以射频前端的电路性能广受注目。

传统接收系统中低噪声放大器和下变频混频器独立设计。低噪声放大器匹配射频输入信号以接收射频输入信号，并对信号适当放大以抑制后级电路的噪声。下变频混频器完成频率变换功能以获得低频的中频信号，并提供一定增益以抑制后级电路噪声。低噪声放大器的优化目标通常是更低的噪声、更小的面积和更低的功耗。下变频混频器的优化目标通常是更佳的线性度、更低的噪声和更低的功耗。但低噪声放大器和下变频混频器的优化通常是独立进行的，这样可能可以获得最好性能，但很难简化电路设计以获得更低的成本和功耗。

发明内容

本发明为解决以上现有技术的难题，提供了一种下变频混频器，该混频器融合了低噪声放大器的功能，可直接接收外部射频信号并输出低频中频信号，简化了电路结构。

为实现以上发明目的，采用的技术方案是：

一种下变频混频器，至少包括一条变频支路，所述变频支路包括：

射频输入阻抗匹配及电压到电流转换电路，用于接收射频输入信号j，并将输入信号j转换成电流形式的输入信号k；

开关电路，用于对电流形式的输入信号k完成下变频功能，得到输入信号m；

电流到电压转换及增益控制电路，用于将输入信号m转换成电压形式的输入信号n；然后对输入信号n进行增益控制，得到幅度合适的低频电压信号。

优选地，所述下变频混频器还包括有增益控制及隔离电路，用于对输入信号k进行增益控制，并提高电路的隔离度。

优选地，所述射频输入阻抗匹配及电压到电流转换电路包括电容CC1、电感Lg1、电容C1、电感Ls1和NMOS管MN1；其中电容CC1的一端接射频信号源，电容CC1的另一端通过电感Lg1与NMOS管MN1的栅极连接，NMOS管MN1的栅极通过电容C1与NMOS管MN1的源极连接，NMOS管MN1的源极通过电感Ls1接地，NMOS管MN1的漏极与开关电路连接。

优选地，所述增益控制及隔离电路包括NMOS管MN13和NMOS管MN14，其中NMOS管MN13的源极与射频输入阻抗匹配及电压到电流转换电路连接，MOS管MN13的漏极与开关电路连接，MOS管MN13的栅极接栅极控制电压Vb1；所述NMOS管MN14的源极与射频输入阻抗匹配及电压到电流转换电路连接，MOS管MN14的漏极接VDD端，MOS管MN14的栅极接栅极控制电压Vc；