[发明专利]一种逐次逼近式模数转换器有效

专利信息
申请号: 201710084196.0 申请日: 2017-02-16
公开(公告)号: CN107017889B 公开(公告)日: 2020-04-24
发明(设计)人: 吴华灵;谭洪舟;陆许明;徐永键;路崇 申请(专利权)人: 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院;中山大学花都产业科技研究院;中山大学
主分类号: H03M1/46 分类号: H03M1/46
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 林丽明
地址: 528300 广东省*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 逐次 逼近 式模数 转换器
【权利要求书】:

1.一种逐次逼近式模数转换器,包括比较器和电容DAC,其特征在于:所述转换器还包括有n路锁存器和锁存器控制信号产生电路,其中比较器的输出端与n路锁存器的输入端连接,n路锁存器的输出端与电容DAC控制端一一对准连接,所述锁存器控制信号产生电路的n个控制信号输出端分别与n路锁存器的控制信号输入端连接,锁存器控制信号产生电路用于根据采样时钟Clks和比较器比较完成信号Valid分别为n路锁存器产生控制信号;

所述锁存器控制信号产生电路包括第一同步触发链、第二同步触发链、第一组合逻辑电路、第二组合逻辑电路;

所述第一同步触发链包括从左到右依次设置的触发器k1、触发器k2、…、触发器kn,其中n个触发器的触发器复位端口、触发器时钟端口分别接入采样时钟Clks和比较器比较完成信号Valid;对于触发器k1,其D端接入Dvdd;对于触发器k2、…、触发器k(n-1),其D端与位于其左侧的触发器的Q端连接,其Q端与位于其右侧的触发器的D端连接;

所述第一组合逻辑电路包括一个三输入或门电路,所述三输入或门电路的三个输入端分别接入采样时钟Clks、比较器比较完成信号Valid和触发器kn的Q端;

所述第二同步触发链包括从左到右依次设置的触发器j0、触发器j1、触发器j2、…、触发器jn,其中触发器j0、触发器j1、触发器j2、…、触发器jn的触发器复位端口、触发器时钟端口分别接入采样时钟Clks和三输入或门电路的输出端,触发器j0的D端接入Dvdd,触发器j0的Q端通过非门电路接入触发器j1的D端;对于触发器j2、…、触发器j(n-1),其D端与位于其左侧的触发器的Q端连接,其Q端与位于其右侧的触发器的D端连接;

其中触发器的Q端和D端分别表示触发器的同相输出端口和触发器的信号输入端口,Dvdd表示数字电路供电电压;

所述第二组合逻辑电路包括n个输出回路,分别为输出回路En1、输出回路En2、…、输出回路Enn,其中每个输出回路均包括非门电路和与门电路,非门电路的输出端与与门电路的一个输入端连接;对于输出回路Eni,其非门电路的输入端与触发器ki的Q端连接,其与门电路的另一个输入端与触发器ji的Q端连接,i的值为1、2、3、..、n;输出回路En1、输出回路En2、…、输出回路Enn的与门电路的输出端分别与n路锁存器的控制信号输入端连接。

2.根据权利要求1所述的逐次逼近式模数转换器,其特征在于:所述比较器的输出端通过缓冲器与n路锁存器的输入端连接,所述n路锁存器的输出端分别通过缓冲器与电容DAC连接。

3.根据权利要求1所述的逐次逼近式模数转换器,其特征在于:所述锁存器包括NMOS管MN2、PMOS管MP2、NMOS管MN1、PMOS管MP1、PMOS管MP3、反相器INV1、反相器INV2;

所述NMOS管MN1的源极与比较器的输出端连接,NMOS管MN1的栅极与锁存器控制信号产生电路的控制信号输出端连接,NMOS管MN1的漏极与PMOS管MP2的栅极连接;

PMOS管MP1的栅极与锁存器控制信号产生电路的控制信号输出端连接,PMOS管MP1的源极接入Vdd,PMOS管MP1的漏极与NMOS管MN1的漏极连接;

PMOS管MP2的源极接入Vdd,PMOS管MP2的漏极与NMOS管MN2的漏极连接;

NMOS管MN2的栅极接入Rst,NMOS管MN2的源极接地;

PMOS管MP2的漏极依次通过反相器INV1、反相器INV2与电容DAC连接;

PMOS管MP3的漏极接反相器INV1的输入端,PMOS管MP3的源极接反相器INV2的输出端,PMOS管MP3的栅极接锁存器控制信号产生电路的控制信号输出端。

4.根据权利要求1所述的逐次逼近式模数转换器,其特征在于:所述锁存器包括NMOS管MN2、PMOS管MP2、NMOS管MN1、PMOS管MP1、PMOS管MP3、反相器INV1、反相器INV2;

所述PMOS管MP1的源极接比较器的输出端,PMOS管MP1栅极接锁存器控制信号产生电路的控制信号输出端,PMOS管MP1的漏极接NMOS管MN2的栅极与NMOS管MN1的漏极;

所述NMOS管MN1的源极接地,所述NMOS管MN1的栅极接锁存器控制信号产生电路的控制信号输出端;

所述NMOS管MN2的源极接地,所述NMOS管MN2的漏极接PMOS管MP2的漏极,PMOS管MP2的源极接Vdd,PMOS管MP2的栅极接Rst;

所述NMOS管MN2的漏极依次通过反相器INV1、反相器INV2与电容DAC连接;

PMOS管MP3的漏极接反相器INV1的输入端,PMOS管MP3的源极接反相器INV2的输出端,PMOS管MP3的栅极接锁存器控制信号产生电路的控制信号输出端。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院;中山大学花都产业科技研究院;中山大学,未经广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院;中山大学花都产业科技研究院;中山大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710084196.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top