[发明专利]一种晶振元件的制作方法及晶振元件

说明书

技术领域

本申请涉及通信技术领域，尤其涉及一种晶振元件的制作方法及晶振元件。

背景技术

针对插件的晶振，一般都是在双列直插式封装技术(英文：dual inline-pin package，简称：DIP)工段人工插件后过波峰焊进行生产即可。

但对于一些需要过认证的机器，比如出中国或者欧洲国家，需要过3C或者CE认证，但对于一些主控芯片，自身的功率辐射比较大，导致指标严重超标，这时就需要在主控的晶振处加锡处理，使得晶振外壳和主板的地连在一起，降低功率辐射和空间辐射。但此时，又带来一个问题，晶振外壳加锡需要人工手动加锡处理，使得制造成本增加。

发明内容

本发明实施例提供了一种晶振元件的制作方法及晶振元件，用以解决现有技术中晶振外壳加锡需要人工手动加锡处理，使得制造成本增加的问题。

其具体的技术方案如下：

一种晶振元件的制作方法，所述方法包括：

在所述晶振元件的主控晶振上开设一段凹槽；

对开设的所述凹槽的槽壁进行金属化处理；

通过波峰焊对金属化处理的所述晶振元件进行处理，使得晶振外壳与所述主控晶振上的金属化槽连接。

可选的，在所述晶振元件的主控晶振上开设一段凹槽，包括：

在所述晶振元件的主控晶振上的第一位置开设第一凹槽，其中，所述第一凹槽为圆弧形凹槽；

在所述晶振元件的主控晶振上的第二位置开设第二凹槽，其中，所述第二凹槽为圆弧形凹槽；

其中，所述第一凹槽与第二凹槽为对称凹槽。

可选的，在所述晶振元件的主控晶振上开设一段凹槽，具体为：

按照设定的凹槽深度以及设定的晶振罩到的凹槽的间隙开设所述凹槽。

一种晶振元件，所述晶振元件包括：

外壳；

主控晶振，所述主控晶振设置于所述外壳内，所述主控晶振设置第一连接端以及第二连端，所述主控晶振上设置有凹槽。

可选的，在所述主控晶振的凹槽内壁设置金属层。

可选的，所述第一凹槽开设在所述晶振元件的主控晶振上的第一位置，所述第二凹槽开设在所述晶振元件的主控晶振上的第二位置。

可选的，所述第一凹槽为圆弧形凹槽，所述第二凹槽为圆弧形凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽对称设置在所述主控晶振上。

通过本发明所提供的方法，将晶振物料插到主板上后，晶振元件本体的下方就和PCB上的晶振封装金属化槽已经接触，然后主板过波峰焊，锡膏就自动被波峰上到晶振封装的金属化槽内，这样晶振外壳就通过锡膏和金属化槽连接在一起，进而使得晶振外壳接到主板的地上。这样就能避免人工手动加锡，提高产品的品质，制造成本也大大降低。

附图说明

图1为本发明实施例中一种晶振元件的制作方法的流程图；

图2为本发明实施例中一种晶振元件的结构示意图之一；

图3为本发明实施例中一种晶振元件的结构示意图之二。

具体实施方式

下面通过附图以及具体实施例对本发明技术方案做详细的说明，应当理解，本发明实施例以及实施例中的具体技术特征只是对本发明技术方案的说明，而不是限定，在不冲突的情况下，本发明实施例以及实施例中的具体技术特征可以相互组合。

如图1所示为本发明实施例中一种晶振元件的制作方法的流程图，该方法包括：

S101，在所述晶振元件的主控晶振上开设一段凹槽；

S102，对开设的所述凹槽的槽壁进行金属化处理；

S103，通过波峰焊对金属化处理的所述晶振元件进行处理，使得晶振外壳与所述主控晶振上的金属化槽连接。

具体来讲，所述晶振元件包括：外壳、主控晶振，所述主控晶振设置于所述外壳内，所述主控晶振设置第一连接端以及第二连端，所述主控晶振上设置有凹槽。

为了解决现有技术中晶振外壳加锡需要人工手动加锡处理，使得制造成本增加的问题，所以在本发明实施例中可以直接在主控晶振上进行开槽，也就是在所述晶振元件的主控晶振上的第一位置开设第一凹槽，其中，所述第一凹槽为圆弧形凹槽；在所述晶振元件的主控晶振上的第二位置开设第二凹槽，其中，所述第二凹槽为圆弧形凹槽。

这里的第一凹槽以及第二凹槽在主控晶振上的结构如图2所示，在图2中第一凹槽以及第二凹槽为圆弧形结构，在主控晶振上还设置有第一连接端以及第二连接端，第一凹槽与第二凹槽为关于第一连接端以及第二连接端的中点对称设置。