[发明专利]晶片的检查装置、检查方法以及半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201710083811.6 | 申请日: | 2017-02-16 |
公开(公告)号: | CN107086185B | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 渡部俊一 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 检查 装置 方法 以及 半导体 制造 | ||
本发明涉及晶片的检查装置、利用了该检查装置的晶片的检查方法以及半导体装置的制造方法,目的在于得到对从晶片的表面起贯穿至背面的裂纹进行检测的晶片的检查装置、晶片的检查方法、以及利用了该检查方法的半导体装置的制造方法。具有:晶片保持机构,其用于对晶片进行保持;光源,其将被所述晶片遮挡、穿过裂纹的照射光照射至所述晶片的第1面,该裂纹从所述晶片的所述第1面起贯穿至第2面;以及受光部,其设置于所述第2面侧,对穿过了所述晶片的所述照射光进行受光,发出与所受光的所述照射光相对应的信号。
技术领域
本发明涉及晶片的检查装置、利用了该检查装置的晶片的检查方法以及半导体装置的制造方法。
背景技术
在专利文献1中公开有对来自晶片的散射光进行拍摄、对裂纹进行检测的方法。通常,在晶片表层,在裂纹部分产生有应力。由于该应力,散射光的偏转方向变化。上述方法通过对偏转方向的变化进行检测而对裂纹进行检测。
专利文献1:国际公开第2011/062279号
在专利文献1所示的方法中,是对晶片表层有无裂纹进行检测。因此,不能对检测出的裂纹是否是从晶片的表面起贯穿至背面进行判断。
发明内容
本发明就是为了解决上述问题而提出的,第1目的在于得到一种晶片的检查装置,该晶片的检查装置对从晶片的表面起贯穿至背面的裂纹进行检测。
第2目的在于得到一种晶片的检查方法,该晶片的检查方法对从晶片的表面起贯穿至背面的裂纹进行检测。
第3目的在于得到一种半导体装置的制造方法,该半导体装置的制造方法使用了对从晶片的表面起贯穿至背面的裂纹进行检测的晶片的检查方法。
具有:晶片保持机构,其用于对晶片进行保持;光源,其将被所述晶片遮挡、穿过裂纹的照射光照射至所述晶片的第1面,该裂纹从所述晶片的所述第1面起贯穿至第2面;以及受光部,其设置于所述第2面侧,对穿过了所述晶片的所述照射光进行受光,发出与所受光的所述照射光相应的信号。
具有:受光工序,在将被晶片遮挡、穿过裂纹的照射光照射至所述晶片的第1面的状态下,由在第2面侧设置的受光部对穿过了所述晶片的所述照射光进行受光,其中,该裂纹从所述晶片的所述第1 面起贯穿至所述第2面;以及判定工序,根据所述受光部发出的与穿过了所述晶片的所述照射光相应的信号而对有无所述裂纹进行判定。
发明的效果
就本发明中的晶片的检查装置而言,当在晶片处产生了从第1 面起贯穿至第2面的裂纹的情况下,照射光穿过裂纹部分。该照射光在不存在贯穿的裂纹之处被晶片遮挡。因此,照射光中,仅穿过了贯穿的裂纹的照射光到达至受光部。其结果,受光部发出与照射光相应的信号。使用该信号,能够对有无从表面起贯穿至背面的裂纹进行判断。
在本发明的晶片的检查方法中,当在晶片处产生了从第1面起贯穿至第2面的裂纹的情况下,照射光穿过裂纹部分。该照射光在不存在贯穿的裂纹之处被晶片遮挡。因此,照射光中,仅穿过了贯穿的裂纹的照射光到达至受光部。其结果,受光部发出与照射光相应的信号。使用该信号,能够对有无从表面起贯穿至背面的裂纹进行判断。
附图说明
图1是本发明的实施方式1中的晶片的检查装置的剖视图。
图2是本发明的实施方式1中的晶片的剖视图及俯视图。
图3是本发明的实施方式1中的晶片的剖视图及对晶片进行拍摄而得到的图像。
图4是本发明的实施方式2中的晶片的检查装置的剖视图。
图5是本发明的实施方式3中的晶片的检查装置的剖视图。
图6是对本发明的实施方式3中的半导体装置的制造方法进行说明的流程图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社,未经三菱电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710083811.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:外延片的评价方法和外延片
- 下一篇:钻杆应力敲击消除装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造