[发明专利]发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，其包含：

第一电极；

与所述第一电极相对的第二电极；

在所述第一电极与所述第二电极之间的发光层，所述发光层包含量子点；和

在所述发光层与所述第二电极之间的无机层，所述无机层包含金属卤化物，其中所述金属卤化物包含镉卤化物、汞卤化物、锰卤化物、铁卤化物、钴卤化物、镍卤化物、锌卤化物或其任何组合，

其中所述无机层进一步包含选自Al³⁺和Ga³⁺的至少一种三价金属离子，并且

所述无机层具有至的厚度。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述金属卤化物包含镉氟化物、汞氟化物、锰氟化物、铁氟化物、钴氟化物、镍氟化物、锌氟化物或其任何组合。

3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述金属卤化物包含CdF₂、HgF₂、MnF₂、FeF₂、CoF₂、NiF₂、ZnF₂或其任何组合。

4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述金属卤化物包含FeF₂。

5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述金属卤化物掺杂有所述三价金属离子。

6.如权利要求1所述的发光装置，其中所述金属卤化物具有3.1eV至4.6eV的能带隙。

7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述金属卤化物具有700℃至1400℃的熔点。

8.如权利要求1所述的发光装置，其中所述量子点具有包含以下的核壳结构：包含第一半导体晶体的核和包含第二半导体晶体的壳。

9.如权利要求8所述的发光装置，其中所述第一半导体晶体的第一半导体和所述第二半导体晶体的第二半导体各自独立地包含包括第12族元素和第16族元素的化合物、包括第13族元素和第15族元素的化合物、包括第14族元素和第16族元素的化合物或其任何组合。

10.如权利要求8所述的发光装置，其中所述第一半导体晶体的第一半导体和所述第二半导体晶体的第二半导体各自独立地包含CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdSTe、GaP、GaAs、GaSb、InP、InAs、InSb、PbS、PbSe、PbTe或其任何组合。

11.如权利要求8所述的发光装置，其中所述第一半导体晶体的第一半导体包含CdSe、CdTe、ZnSe、InP、InAs、PbS、PbSe、PbTe或其任何组合，并且所述第二半导体晶体的第二半导体包含ZnSe、ZnS、CdS、HgS、GaAs或其任何组合。

12.如权利要求8所述的发光装置，其中所述第二半导体晶体的第二半导体具有的能带隙等于或大于所述第一半导体晶体的第一半导体的能带隙。

13.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发光装置进一步包含在所述第一电极下方的基板、空穴传输区和电子传输区，其中所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，所述空穴传输区在所述第一电极与所述发光层之间，所述电子传输区在所述第二电极与所述发光层之间，并且所述无机层在所述电子传输区中。

14.一种发光装置，其包含：

第一电极；

与所述第一电极相对的第二电极；

在所述第一电极与所述第二电极之间的发光层，所述发光层包含量子点；和

在所述发光层与所述第一电极之间的无机层，所述无机层包含金属卤化物，其中所述金属卤化物包含镉卤化物、汞卤化物、锰卤化物、铁卤化物、钴卤化物、镍卤化物、锌卤化物或其任何组合，

其中所述发光装置进一步包含在所述第一电极下方的基板、电子传输区和空穴传输区，其中所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极，所述电子传输区在所述第一电极与所述发光层之间，所述空穴传输区在所述第二电极与所述发光层之间，并且所述无机层在所述电子传输区中，

其中所述无机层进一步包含选自Al³⁺和Ga³⁺的至少一种三价金属离子，

所述无机层具有至的厚度。