[发明专利]半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体装置封装的方法，所述方法包含：

提供一衬底，所述衬底包含相对的一第一表面及一第二表面；

形成延伸进入所述衬底的所述第一表面的金属通孔结构，其包含：

于所述衬底的所述第一表面上形成一第一钝化层；

形成贯通所述第一钝化层并部分地延伸进入所述衬底的多个沟槽；以及

于所述多个沟槽中填入一导电材料；

于所述衬底上形成一重分布层(RDL)结构以电连接所述金属通孔结构；

于所述重分布层结构上形成第一金属柱；

执行一芯片贴合工艺，以于所述第一金属柱上安置半导体芯片；

去除所述衬底，显露出所述金属通孔结构超出所述第一钝化层的突出部分，以形成第二金属柱，其包含：

对所述衬底执行一衬底薄化工艺，以去除所述衬底的一部分；以及

执行一湿式回蚀刻工艺，去除所述衬底的剩余部分，以显露出所述第一钝化层和各所述金属通孔结构的所述突出部分；以及

于所述第二金属柱上形成连接件。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含将各所述沟槽形成为不大于50微米的深度。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含将所述沟槽形成为大体相同的直径。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含将所述沟槽形成为不同的直径。

5.根据权利要求1所述的方法，其中于所述沟槽填入导电材料包含于所述沟槽填入铜、铬、镍、铝、金、银、钨、钛或氮化钛。

6.根据权利要求1所述的方法，其中于所述沟槽填入导电材料包含于所述沟槽中形成一多层结构，所述多层结构包含一黏着层、一阻挡层、一晶种层、一湿润层或其组合。

7.根据权利要求1所述的方法，其中于所述重分布层结构上形成第一金属柱包含以下步骤：

于所述重分布层结构上形成一第二钝化层；

于所述第二钝化层中形成接垫开孔，以显露出所述重分布层结构的凸块接垫；以及

分别于所述凸块接垫上形成所述第一金属柱。

8.根据权利要求7所述的方法，其中形成所述第一钝化层及所述第二钝化层包含由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、聚酰亚胺或其组合形成。

9.根据权利要求1所述的方法，其中提供衬底包含提供硅衬底。

10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含：

形成一模塑料，以覆盖所述半导体芯片及所述第一钝化层；以及

抛光所述模塑料，以显露出所述半导体芯片的无源面，且所述模塑料的表面与所述无源面共平面。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一金属柱形成为微凸块且所述第二金属柱形成为凸块下金属(UBM)凸块。

12.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述第一金属柱包含形成一凸块下金属结构及形成一盖在所述凸块下金属结构上的导电凸块。

13.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述导电凸块包含形成一焊锡凸块或一金属凸块。

14.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述连接件包含形成焊锡凸块或控制崩塌芯片连接凸块。