[发明专利]OLED器件及其制作方法在审
申请号: | 201710081898.3 | 申请日: | 2017-02-15 |
公开(公告)号: | CN106654070A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 裴磊;迟明明 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种OLED器件的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一基板,在所述基板上形成第一电极层;
在所述第一电极层上形成第一有机层,对所述第一有机层进行图形化处理,从而形成第一有机岛状图案、第二有机岛状图案以及第三有机岛状图案,相邻的有机岛状图案之间存在间隔,间隔处露出所述第一电极层;
在所述第一有机岛状图案上形成红光发光层,在所述第二有机岛状图案上形成蓝光发光层,在所述第三岛状图案上形成绿光发光层;
在发光层上依次形成第二有机层以及第二电极层。
2.如权利要求1所述的OLED器件的制作方法,其特征在于,所述第一有机岛状图案、所述第二有机岛状图案以及所述第三有机岛状图案相互之间等间隔设置,间隔距离为1μm~15μm。
3.如权利要求1所述的OLED器件的制作方法,其特征在于,对所述第一有机层进行图形化处理,从而形成第一有机岛状图案、第二有机岛状图案以及第三有机岛状图案的步骤包括:
在所述第一有机层上涂布光阻;
对涂布光阻后的第一有机层进行曝光、显影、刻蚀,从而形成第一有机岛状图案、第二有机岛状图案以及第三有机岛状图案。
4.如权利要求1所述的OLED器件的制作方法,其特征在于,所述第一有机层包括空穴注入层和空穴传输层;在所述第一电极层上形成第一有机层的步骤包括:
在所述第一电极层上形成空穴注入层;
在所述空穴注入层上形成空穴传输层。
5.如权利要求1所述的OLED器件的制作方法,其特征在于,所述第二有机层包括电子注入层和电子传输层;在发光层上依次形成第二有机层以及第二电极层的步骤包括:
在发光层上形成电子传输入层;
在所述电子传输层上形成电子注入层;
在所述电子注入层上形成第二电极层。
6.如权利要求1所述的OLED器件的制作方法,其特征在于,在所述第一有机岛状图案上形成红光发光层,在所述第二有机岛状图案上形成蓝光发光层,在所述第三有机岛状图案上形成绿光发光层的步骤包括:
利用高精度金属掩膜版在所述第一有机岛状图案上形成红光发光层,在所述第二有机岛状图案上形成蓝光发光层,以及在所述第三有机岛状图案上形成绿光发光层。
7.如权利要求1所述的OLED器件的制作方法,其特征在于,在所述第一电极层上形成第一有机层的步骤包括:
采用真空蒸镀工艺在所述第一电极层上形成第一有机层。
8.如权利要求1所述的OLED器件的制作方法,其特征在于,在发光层上依次形成第二有机层以及第二电极层的步骤包括:
采用真空蒸镀工艺发光层上依次形成第二有机层以及第二电极层。
9.如权利要求1所述的OLED器件的制作方法,其特征在于,所述第一电极层为ITO或IZO。
10.一种OLED器件,其特征在于,包括:
基板;
第一电极层,其设置在所述基板上;
空穴注入层,其包括设置在所述第一电极层上的第一空穴注入岛状图案、第二空穴注入岛状图案以及第三空穴注入岛状图案,相邻的有机岛状图案之间存在间隔,间隔处露出第一电极层;
空穴传输层,其包括设置在所述第一空穴注入岛状图案上的第一空穴传输岛状图案、设置在所述第二空穴注入岛状图案上的第二空穴传输岛状图案、以及设置在所述第三空穴注入岛状图案上的第三空穴传输岛状图案;
发光层,其包括设置在所述第一空穴传输岛状图案上的红光发光子层、设置在所述第二空穴传输岛状图案上的蓝光发光子层、以及设置在所述第三空穴传输岛状图案上的绿光发光子层;
电子传输层,其设置在发光层上;
电子注入层,其设置在电子传输层上;
第二电极层,其设置在电子注入层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择