[发明专利]一种铁基非晶合金的制备方法在审

专利信息
申请号: 201710081332.0 申请日: 2017-02-15
公开(公告)号: CN106636983A 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 李晓雨;庞靖;李庆华;杨东;刘红玉 申请(专利权)人: 青岛云路先进材料技术有限公司
主分类号: C22C45/02 分类号: C22C45/02;C22C33/04;B22D11/06;H01F1/153
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 赵青朵
地址: 266232 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 铁基非晶 合金 制备 方法
【说明书】:

本申请要求于2017年01月25日提交中国专利局、申请号为201710060834.5、发明名称为“一种铁基非晶合金的制备方法”的中国专利申请的优先权。

技术领域

本发明涉及软磁材料技术领域,尤其涉及一种铁基非晶合金的制备方法。

背景技术

铁基非晶带材是一种新型节能材料,采用快速急冷凝固生产工艺制备,这种新材料用于变压器铁心,与传统硅钢变压器相比,磁化过程相当容易,从而大幅度降低变压器的空载损耗,若用于油浸变压器还可减排CO、SO、NOx等有害气体,被称为21世纪的“绿色材料”。

目前,国内外在非晶变压器的制备过程中,普遍使用的均为饱和磁感应强度为1.56T左右的铁基非晶带材。与硅钢接近2.0T的饱和磁感应强度相比,铁基非晶在制备变压器时存在着体积增大的缺点。为了增强铁基非晶材料在变压器行业的竞争力,需开发饱和磁感应强度大于1.6T的铁基非晶材料。

对于具有高饱和磁感应强度的非晶材料研发,已经开展了很多年。最具有代表性的是美国Allied-Signal公司开发的一款牌号为Metglas2605Co的合金,这种合金的饱和磁感应强度达到1.8T,但其合金中包含18%的Co元素使其成本过高无法在工业生产中应用。

日立金属在公开号为CN1721563A的中国专利申请中公开了一种名HB1的Fe-Si-B-C合金,其饱和磁感应强度在1.64T,但其公开的工艺条件中提到了在制备过程中通过吹含C气体而控制带材表面C元素含量分布的工艺,这将直接导致其产品生产工艺条件难以控制,工业生产稳定性无法保证。

新日本制铁公司在专利CN1356403A中公布了一种Fe-Si-B-P-C合金,虽然其饱和磁感应强度达到1.75T,但由于其Fe含量过高非晶形成能力较差,导致在其工业化生产中无法形成非晶态,带材磁性能较差;同事其在专利中一方面未提到关于P元素添加的问题,另一方面P元素的添加含量较大,结合目前国内外磷铁行业的实际情况,磷铁的制备条件相对粗放,杂质含量过高,无法达到非晶合金的使用条件。在制备过程中,大量使用常规条件的磷铁会导致带材晶化、偏脆,且热处理后性能较差。若使用此种合金成分进行工业化成产,必须添加磷铁精炼的环节,一方面增加工艺流程的复杂性,另一方面需提高目前的冶炼水平,导致工业化生产难度加大。

发明内容

本发明解决的技术问题在于提供一种铁基非晶合金的制备方法,本申请提供的铁基非晶合金具有较好的综合磁性能,且制备方法简单。

有鉴于此,本申请提供了一种如式(Ⅰ)所示的铁基非晶合金的制备方法,包括以下步骤:

A),按照式FeaBbSic的铁基非晶合金的原子百分比配料,将配料后的原料进行冶炼,将冶炼后的原料进行精炼;

B),将精炼后的原料进行制带,得到如式(Ⅰ)所示的铁基非晶合金;

FeaSibBcMd (Ⅰ);

其中,a、b、c与d分别表示对应组分的原子百子含量;81.0≤a≤83.0,0.5≤b≤4.5,12.5≤c≤16.0,d≤0.4,a+b+c+d=100;M为杂质元素。

优选的,所述制带后还包括:

将制带得到的铁基非晶合金带材进行热处理。

优选的,所述热处理的温度为300~360℃,保温时间为60~120min,磁场强度为800~1400A/m。

优选的,所述铁基非晶合金的饱和磁感应强度≥1.62T,所述热处理后的铁基非晶合金带材的矫顽力≤4A/m;在50Hz,1.35T条件下,所述热处理后的铁基非晶合金带材的激磁功率≤0.2200VA/kg,铁芯损耗≤0.1800W/kg。

优选的,所述配料的原料包括:非晶用工业纯铁、金属硅与非晶硼铁。

优选的,所述非晶用工业纯铁的Fe≥99.5wt%,杂质≤0.2wt%,其中:所述杂质中C≤0.01wt%、Si≤0.05wt%、P≤0.02wt%、S≤0.01wt%、Al≤0.01wt%;所述金属硅的Si≥99.4wt%,杂质≤0.6wt%,其中:所述杂质中Fe≤0.6wt%、Ca≤0.1wt%、Al≤0.1wt%;所述非晶硼铁的B≥17.0wt%,杂质≤0.2wt%,其中:所述杂质中C≤0.4wt%、Si≤1wt%、P≤0.1wt%、S≤0.01wt%、Al≤0.1wt%。

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