[发明专利]采用横向双极结型晶体管的反熔丝非易失性存储器件有效
| 申请号： | 201710080929.3 | 申请日： | 2017-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN107221353B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 崔光一 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;李少丹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 横向 双极结型 晶体管 反熔丝 非易失性存储器 | ||
1.一种反熔丝非易失性存储器件，包括：
反熔丝存储单元；以及
选择晶体管，其具有双极结型晶体管的结构，
其中，所述双极结型晶体管的结构包括：
第一导电类型的阱区，所述阱区用作基极区，所述阱区具有彼此间隔开的第一有源区和第二有源区，所述第一有源区包括第一上部、第二上部和第三上部；
第二导电类型的第一集电极区，所述第一集电极区设置在阱区的第二上部中，其中阱区的第二上部的端部在第一方向上与阱区的第一上部的端部重叠；
第二导电类型的发射极区，所述发射极区设置在阱区的第三上部中；以及
第一导电类型的接触区，所述接触区设置在阱区的第二有源区中，
其中，所述反熔丝存储单元包括在阱区的第一上部上的反熔丝绝缘层和层叠在所述反熔丝绝缘层上的栅极；
其中，所述栅极耦接到字线，所述接触区直接耦接到阱偏置线，所述发射极区耦接到位线，以及所述第一集电极区被电浮置，以及
其中，第一导电类型是P型，而第二导电类型是N型。
2.如权利要求1所述的反熔丝非易失性存储器件，其中，第一集电极区的一部分与反熔丝绝缘层的一部分以及栅极的一部分垂直地重叠。
3.如权利要求1所述的反熔丝非易失性存储器件，其中，第一集电极区和发射极区沿着阱区的表面在第一方向上彼此间隔开。
4.如权利要求1所述的反熔丝非易失性存储器件，还包括第二导电类型的第二集电极区，所述第二集电极区设置在第一集电极区中，其中第二集电极区的杂质浓度高于第一集电极区的杂质浓度。
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