[发明专利]防止闪存单元控制栅极空洞的工艺制造方法

权利要求书

1.一种防止闪存单元控制栅极空洞的工艺制造方法，其特征在于包括：

第一步骤：执行闪存制造工艺，直到执行完控制栅极多晶硅刻蚀，其中，所述控制栅极多晶硅是重掺杂的多晶硅，所述重掺杂的多晶硅中含有磷；

第二步骤：湿法去除控制栅极氮化硅介质层；

第三步骤：执行快速热氧化以形成覆盖控制栅极侧墙的保护氧化膜，其中所述保护氧化膜用于防止所述重掺杂的多晶硅中的磷在空气中形成磷酸对所述控制栅极多晶硅的腐蚀；

第四步骤：执行预清洗处理，以去除所述的保护氧化膜以及有关颗粒；

第五步骤：执行高温氧化层和氮化层沉积和蚀刻处理以形成外部栅极侧墙。

2.根据权利要求1所述的防止闪存单元控制栅极空洞的工艺制造方法，其特征在于，所述闪存单元是分栅式闪存单元。

3.根据权利要求1或2所述的防止闪存单元控制栅极空洞的工艺制造方法，其特征在于，所述控制栅极多晶硅是磷重掺杂的多晶硅。

4.根据权利要求3所述的防止闪存单元控制栅极空洞的工艺制造方法，其特征在于，磷重掺杂的浓度为4.0E20at.％。

5.根据权利要求1或2所述的防止闪存单元控制栅极空洞的工艺制造方法，其特征在于，在第四步骤中不仅去除了有关颗粒，为后面的氧化层和氮化层沉积做准备，而且去除了所述保护氧化膜。

6.根据权利要求1或2所述的防止闪存单元控制栅极空洞的工艺制造方法，其特征在于，在第五步骤的高温氧化层沉积处理中沉积了厚度为70Å的高温氧化层。

7.根据权利要求1或2所述的防止闪存单元控制栅极空洞的工艺制造方法，其特征在于，在第五步骤的氮化层沉积处理中还沉积了300Å的氮化层。