[发明专利]一种电流模电流最小值电路有效

专利信息
申请号: 201710079376.X 申请日: 2017-02-14
公开(公告)号: CN106774584B 公开(公告)日: 2018-07-20
发明(设计)人: 秦义寿 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 电流 最小值 电路
【权利要求书】:

1.一种电流模电流最小值电路,包括:

第一电流镜,用于将第一输入电流转换为第一电流宿;

第二电流镜,用于将第二输入电流转换为第二电流宿;

运算单元,用于根据该第一电流宿与该第二电流宿的大小产生一运算结果并以电流宿形式输出;

输出单元,用于将该运算单元产生的运算结果以电流源的形式输出;

所述输出单元输出的电流大小为所述第一输入电流与第二输入电流中的较小者;

该第一电流镜包括第一NMOS管、第二NMOS管,该第一NMOS管、第二NMOS管源极接地,该第一NMOS管的栅漏相连后接该第一输入电流,并连接至该第二NMOS管的栅极,该第二NMOS管漏极接该运算单元;

该第二电流镜包括第三NMOS管、第四NMOS管,该第三NMOS管、第四NMOS管源极接地,该第三NMOS管的栅漏相连后接该第二输入电流,并连接至该第四NMOS管的栅极,该第四NMOS管漏极接该运算单元;

该运算单元包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管,该第一PMOS管的栅漏相连连接至第二PMOS管、第三PMOS管的栅极,该第一PMOS管的漏极接该第二NMOS管的漏极,该第二PMOS管的漏极接该第四NMOS管的漏极,该第五NMOS管栅漏相连后与该第六NMOS管栅极连接,并连接至该第四NMOS管与该第二PMOS管的漏极,该第三PMOS管的漏极与该第六NMOS管漏极相连,并连接至该输出单元。

2.如权利要求1所述的一种电流模电流最小值电路,其特征在于:该第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管源极接电源,该第五NMOS管、第六NMOS管源极接地。

3.如权利要求1所述的一种电流模电流最小值电路,其特征在于:该输出单元包括第四PMOS管、第五PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管,该第四PMOS管栅漏互连后连接该第五PMOS管的栅极,该第七NMOS管栅漏互连后连接该第八NMOS管的栅极,并连接至该第六NMOS管漏极,该第四PMOS管的漏极与该第八NMOS漏极相连,该第五PMOS管的漏极为该输出单元的输出端。

4.如权利要求3所述的一种电流模电流最小值电路,其特征在于:所有PMOS管的宽长比相等或大致相等。

5.如权利要求4所述的一种电流模电流最小值电路,其特征在于:所有NMOS管的宽长比相等或大致相等。

6.如权利要求5所述的一种电流模电流最小值电路,其特征在于:源极接地的NMOS管的衬底均接地,源极接电源的PMOS管的衬底均接电源。

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