[发明专利]一种增强半导体工艺中补值精确性的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种增强半导体工艺中补值精确性的方法。

背景技术

在半导体工艺中，某些工艺制程的工艺窗口特别狭小，所以采用在相关的工艺，基于前道制程的数据，进行补值(feedforward)。例如，逻辑产品中基于栅极的最小尺寸数据，在低掺杂漏极(LDD)的离子植入过程中增减离子注入量，来改善最终器件的性能。

而闪存以其便捷，存储密度高，可靠性好等优点成为非挥发性存储器中研究的热点。从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来，随着技术的发展和各类电子产品对存储的需求，闪存被广泛用于手机，笔记本，掌上电脑和U盘等移动和通讯设备中。

闪存为一种非易变性存储器，其运作原理是通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失，而闪存为电可擦除且可编程的只读存储器的一种特殊结构。如今闪存已经占据了非挥发性半导体存储器的大部分市场份额，成为发展最快的非挥发性半导体存储器。

一般而言，闪存为分栅结构或堆叠栅结构或两种结构的组合。分栅式闪存由于其特殊的结构，相比堆叠栅闪存在编程和擦除的时候都体现出其独特的性能优势，因此分栅式结构由于具有高的编程效率，字线的结构可以避免“过擦除”等优点，应用尤为广泛。具体地，分栅快闪存储器(supper Flash)工艺中，基于隧穿氧化层(tun_OX)长膜的厚度，在后续的清洗步骤中，调节酸清洗的时间来调节隧穿氧化层长膜的最终厚度等等。

以上的调节都是基于前道制程量测的平均值。但是，量测过程中的异常点的数值计算在平均之中，这些异常值会影响后续工艺调节的档位选择，从而造成补值不准的情况。

由此，希望能够提供一种能够有效地防止或者减少补值不准的情况的技术方案。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够增强半导体工艺中补值精确性的方法，其中采用异常量测数据过滤等方法达到增强补值准确性的目的，从而提高工艺精准度，提高良率。

为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种增强半导体工艺中补值精确性的方法，包括：

第一步骤：执行前道制程，并且获取所述前道制程的数据；总的来说，获取的所述前道制程的数据即前道量测数据；

第二步骤：从所述前道制程的数据中舍弃一个或者多个异常数据点；

第三步骤：利用舍弃一个或者多个异常数据点之后的前道制程数据计算平均值；

第四步骤：利用所述平均值作为后道制程补值的基础。

优选地，在所述的增强半导体工艺中补值精确性的方法中，所述增强半导体工艺中补值精确性的方法用于分栅快闪存储器制造工艺。当然，本发明显然实际也可以应用到其他的具有向前反馈的工艺中。

优选地，在所述的增强半导体工艺中补值精确性的方法中，在第二步骤中，通过数据计算，从所述前道制程的数据中舍弃一个或者多个异常数据点。

优选地，在所述的增强半导体工艺中补值精确性的方法中，在第二步骤中，将相对于第一步骤获取的所述前道制程的数据的平均值超出预定倍数标准方差的数据点作为异常数据点。

优选地，在所述的增强半导体工艺中补值精确性的方法中，在第二步骤中从获取的所述前道制程的数据中直接去除相对于第一步骤获取的所述前道制程的数据的平均值超出预定倍数标准方差的数据点。

优选地，在所述的增强半导体工艺中补值精确性的方法中，所述预定倍数介于2至2.5倍之间。

优选地，在所述的增强半导体工艺中补值精确性的方法中，在第二步骤中，将相对于第一步骤获取的所述前道制程的数据的平均值超出2.5标准方差的数据点作为异常数据点。

优选地，在所述的增强半导体工艺中补值精确性的方法中，在第二步骤中从获取的所述前道制程的数据中直接去除相对于第一步骤获取的所述前道制程的数据的平均值超出2.5标准方差的数据点。

优选地，在所述的增强半导体工艺中补值精确性的方法中，在第二步骤中，将相对于第一步骤获取的所述前道制程的数据的平均值超出2倍标准方差的数据点作为异常数据点。

优选地，在所述的增强半导体工艺中补值精确性的方法中，在第二步骤中从获取的所述前道制程的数据中直接去除相对于第一步骤获取的所述前道制程的数据的平均值超出2倍标准方差的数据点。