[发明专利]激光切割用膜基材、激光切割用膜以及电子部件的制造方法

说明书

本发明涉及激光切割用膜基材、激光切割用膜以及电子部件的制造方法。本发明提供一种厚度为50μm以上200μm以下的范围，初期应力为9MPa以上19MPa以下的范围，扩张率为102％以上120％以下的范围，雾度值为10以下，全光线透过率为90％以上的隐形切割用膜基材。

本申请是申请日为2012年12月20日、发明名称为“激光切割用膜基材、激光切割用膜以及电子部件的制造方法”的中国发明专利申请No.201280064243.0(PCT申请号为PCT/JP2012/083154)的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种隐形切割(stealth dicing)用膜基材，以及使用该膜基材的隐形切割用膜和电子部件的制造方法。

背景技术

在切割半导体晶片(wafer)时，一边使用冷却水和洗涤水，一边通过切割刀切断晶片，并在接下来的扩张工序中，对切断的晶片所对应的切割用膜进行扩张，从而进行芯片的小片化。这时，通过切割用膜固定半导体晶片，防止芯片的飞散。

另一方面，作为半导体晶片的切割方法，已经提出了通过激光来切割半导体晶片的方法(例如，参见日本特开2007－245173号公报)。对于利用激光的切割法，一直以来已知有将激光聚集在晶片表面上，使晶片表面吸收激光，从而挖开沟的表面烧蚀方式。近年来，还提出了将激光聚集在晶片内部形成改性区域后，通过拉伸与晶片对应的切割用膜，从而以前述改性区域为起点分割晶片的方法(例如，隐形切割法)。

在利用激光的切割法中，在隔着切割用膜照射激光时，为了不阻碍照射的激光而分切晶片，要求切割用膜具有高透明性。此外，对于切割用膜，还要求具有激光照射后的晶片分切可以良好进行的性状。

在与上述情况的相关事项中，作为有关利用激光的切割法的技术，例如，已经公开了包含具有规定的拉伸弹性模量、粘合力等的粘合层和具有规定的拉伸弹性模量的基材层，并且扩张率和雾度处于规定范围内的切割膜(例如，参见日本特开2011－61097号公报)。通过该切割膜，可以得到高分切率。

作为使用离子交联聚合物的切割技术，已经公开了具备含有钾离子交联聚合物的层的切割带用基材(例如，参见日本特开2011－40449号公报)。根据该切割带用基材，在抗静电性能方面优异。此外，还公开了具有以离子键树脂作为原料聚合物并配合了规定的结晶分散剂的基础片材和粘合剂层的半导体晶片用片材(例如，参见日本特开2000－273416号公报和日本特开2000－345129号公报)。根据该半导体晶片用片材，可以得到扩展(expand)均匀性。

此外，作为使用含离子交联聚合物的交联树脂的切割技术，作为其基材膜，记载了通过使维卡软化点和由热收缩所产生的应力增大处于规定范围，从而在加热收缩工序后不会因松弛产生问题的切割膜(例如，参见日本特开2011－216508号公报)。此外，从防止须状切削屑的丝状化的观点考虑，还公开了一种用锌或镁等金属离子进行交联得到的离子键树脂(例如，参见日本特开2011－210887号公报)。

进而，公开了一种在使用了EMAA的30μm厚的粘合剂涂布层和使用了低密度聚乙烯的30μm厚的扩展接触层之间，配置了含有结晶性聚丙烯的40μm厚的中间层的3层结构的晶片切割带用基材(例如，参见日本特开2003－158098号公报)。根据该晶片切割带用基材，在均匀扩张性方面优异。此外，还公开了一种在使用了低密度聚乙烯的2层之间，配置了使用了乙烯－甲基丙烯酸－(丙烯酸2－甲基－丙酯)3元共聚物或其锌离子键树脂的中心层的3层结构的半导体晶片固定用粘合带(例如，参见日本特开平7－230972号公报)。根据该半导体晶片固定用粘合带，可以防止扩展时的颈缩和在拾取针(pickup pin)上的附着。

发明内容