[发明专利]航天器用母线欠压保护可控恢复电路

权利要求书

1.一种航天器用母线欠压保护可控恢复电路，其特征在于，包括：开关机控制电路(1)、欠压保护电路(2)和浪涌抑制电路(3)；

欠压保护电路(2)采用接成正反馈的运算放大器N1A对欠压保护比较基准V1和母线电压采样值V2进行比较，运算放大器N1A将比较结果通过反接的隔离二极管D5接入浪涌抑制电路(3)；输出电平V3经分压后作为开关机控制电路(1)的关机比较基准V4；欠压保护比较基准V1经分压后作为开关机控制电路(1)的开机比较基准V5；

开关机控制电路(1)采用接成正反馈的运算放大器N1B，运算放大器N1B的反相端除了接开机比较基准V5还进一步连接开机使能端，正相端除了接关机比较基准V4还进一步连接关机使能端；运算放大器N1B将V4与V5的比较结果通过反接的隔离二极管D4也接入浪涌抑制电路(3)；

浪涌抑制电路(3)采用MOSFET管VM1实现浪涌抑制，且MOSFET管VM1的中栅极耦接开关机控制电路(1)和欠压保护电路(2)中的隔离二极管D4和D5，仅当隔离二极管D4和D5同时反偏时，MOSFET管VM1处于导通状态，母线电压施加于用电设备。

2.如权利要求1所述的母线欠压保护可控恢复电路，其特征在于，浪涌抑制电路(3)由电阻R1、R2、R3、充电电容C1及MOSFET管VM1组成；分压电阻R1和R3串联接入母线Vin的正线Vin+及回线Vin-，分压得到电压V7，充电电容C1与电阻R3并联，MOSFET管VM1的栅极通过电阻R2接入分压点V7；MOSFET管VM1的源极接母线的回线Vin-，VM1的漏极接用电设备回线。

3.如权利要求2所述的母线欠压保护可控恢复电路，其特征在于，开关机控制电路(1)中运算放大器N1B的输出端通过电阻R15和反向连接的隔离二极管D4接入浪涌抑制电路(3)；电阻R15小于浪涌抑制电路(3)中电阻R3的1/10。

4.如权利要求1所述的母线欠压保护可控恢复电路，其特征在于，欠压保护电路(2)由电阻器、电容器、二极管及运算放大器组成；

运算放大器N1A的反相端通过反向连接的电压基准二极管Z2接母线的回线Vin-，获得欠压保护比较基准V1，电压基准二极管Z2的阴极通过电阻R7接运算放大器N1A的供电端；运算放大器N1A的同相端接分压电阻R5、R6的分压点，获得母线电压采样值V2；运算放大器N1A的输出端一方面通过电阻R13和二极管D2反馈到自身的同相端，另一方面通过电阻R10、R11和R12的分压，从R11和R12的连接处引出关机比较基准V4，提供给开关机控制电路(1)，再一方面通过反向连接的隔离二极管D5接入浪涌抑制电路(3)；

同时运算放大器N1A的反相端进一步通过分压电阻R8和R9接母线的回线Vin-，电阻R8和R9的分压点作为开机比较基准V5提供给开关机控制电路(1)。

5.如权利要求1所述的母线欠压保护可控恢复电路，其特征在于，所述欠压保护电路(2)中运算放大器的供电端，一方面通过稳压二极管Z1接母线的回线Vin-，另一方面通过限流电阻R4接母线的正线Vin+。

6.如权利要求5所述的母线欠压保护可控恢复电路，其特征在于，所述欠压保护电路(2)进一步包括为稳压二极管Z1进行温度补偿的滤波电容C3和二极管D1；二极管D1接在稳压二极管Z1与母线回线Vin-之间，滤波电容C3并联在稳压二极管Z1和二极管D1组成的串联结构两端。