[发明专利]具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件及其制造方法有效

申请号：	201710076353.3	申请日：	2013-06-20
公开（公告）号：	CN106847924B	公开（公告）日：	2021-03-30
发明（设计）人：	T·甘尼;S·拉蒂夫;C·D·穆纳辛格	申请（专利权）人：	英特尔公司
主分类号：	H01L29/78	分类号：	H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423
代理公司：	上海专利商标事务所有限公司 31100	代理人：	何焜
地址：	美国加利***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	具有掺杂子鳍片区域平面半导体器件及其制造方法
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【权利要求书】：

1.一种集成电路结构，包括：

第一鳍片，包括硅，所述第一鳍片具有子鳍片部分和上鳍片部分；

第二鳍片，包括硅，所述第二鳍片具有子鳍片部分和上鳍片部分；

磷硅酸盐玻璃PSG层，所述PSG层直接在所述第一鳍片的子鳍片部分的侧壁上；

硼硅酸盐玻璃BSG层，所述BSG层直接在所述第二鳍片的子鳍片部分的侧壁上，其中所述BSG层的端部与所述PSG层的端部在所述第一鳍片和所述第二鳍片之间的位置接触，其中，所述BSG层的端部是终止端，并且所述PSG层的端部是终止端，并且其中，所述BSG层的终止端和所述PSG层的终止端在大致垂直的界面接触，所述大致垂直的界面在所述BSG层的终止端和所述PSG层的终止端之间；

第一绝缘层，包括氮，所述第一绝缘层直接在所述BSG层上，所述BSG层直接在所述第二鳍片的子鳍片部分的侧壁上；

第二绝缘层，包括氮，所述第二绝缘层直接在所述PSG层上且与所述PSG层共形，所述PSG层直接在所述第一鳍片的子鳍片部分的侧壁上，所述第二绝缘层在所述第一绝缘层之上且与所述第一绝缘层共形，所述第一绝缘层直接在所述BSG层上，所述BSG层直接在所述第二鳍片的子鳍片部分的侧壁上；

电介质填充材料，直接在所述第二绝缘层上，所述第二绝缘层直接在所述PSG层上，所述PSG层直接在所述第一鳍片的子鳍片部分的侧壁上，所述电介质填充材料直接在所述第一绝缘层之上的第二绝缘层上，所述第一绝缘层直接在所述BSG层上，所述BSG层直接在所述第二鳍片的子鳍片部分的侧壁上，其中所述电介质填充材料包括硅和氧；

第一栅电极，在所述第一鳍片的上鳍片部分的侧壁表面上并且侧向地邻近所述第一鳍片的上鳍片部分的侧壁表面，所述第一栅电极在所述电介质填充材料之上；以及

第二栅电极，在所述第二鳍片的上鳍片部分的侧壁表面上并且侧向地邻近所述第二鳍片的上鳍片部分的侧壁表面，所述第二栅电极在所述电介质填充材料之上。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，进一步包括：

第一栅极电介质层，在所述第一栅电极和所述第一鳍片的上鳍片部分之间；以及

第二栅极电介质层，在所述第二栅电极和所述第二鳍片的上鳍片部分之间。

3.如权利要求2所述的集成电路结构，其特征在于，所述第一栅极电介质层包括第一高k电介质层，以及其中所述第二栅极电介质层包括第二高k电介质层。

4.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述第一鳍片的子鳍片部分具有大于2E18原子/cm³的磷浓度。

5.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述第一鳍片的上鳍片部分具有小于5E17原子/cm³的磷浓度。

6.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述第一鳍片的子鳍片部分具有大于2E18原子/cm³的磷浓度，以及其中所述第一鳍片的上鳍片部分具有小于5E17原子/cm³的磷浓度。

7.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述第二鳍片的子鳍片部分具有大于2E18原子/cm³的硼浓度。

8.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述第二鳍片的上鳍片部分具有小于5E17原子/cm³的硼浓度。

9.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述第二鳍片的子鳍片部分具有大于2E18原子/cm³的硼浓度，以及其中所述第二鳍片的上鳍片部分具有小于5E17原子/cm³的硼浓度。