[发明专利]可调阻值式虚拟电阻有效
| 申请号： | 201710076077.0 | 申请日： | 2017-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN108429545B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 洪崇智;张家恒 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H11/46 | 分类号： | H03H11/46 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可调 阻值 虚拟 电阻 | ||
1.一种可调阻值式虚拟电阻，其特征在于，包括：
第一晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，所述第一晶体管的所述第一端用以作为所述可调阻值式虚拟电阻的第一端，且所述第一晶体管的所述控制端用以接收控制电压，其中所述第一晶体管受控于所述控制电压；以及
第二晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，所述第二晶体管的所述第一端耦接所述第一晶体管的所述第二端，且所述第二晶体管的所述第二端与所述第二晶体管的所述控制端相耦接以作为所述可调阻值式虚拟电阻的第二端；
其中所述第一晶体管的所述第一端为信号输入端，而所述第二晶体管的所述第二端为信号输出端，且所述第二晶体管的所述第二端的信号变化量大于所述第一晶体管的所述第一端的信号变化量；
其中所述第一晶体管及所述第二晶体管的每一者为P型金氧半场效晶体管，所述第一晶体管的所述第一端以及所述第二晶体管的所述第一端为源极，所述第一晶体管的所述第二端以及所述第二晶体管的所述第二端为漏极。
2.根据权利要求1所述的可调阻值式虚拟电阻，其特征在于，所述第一晶体管操作在弱反转区。
3.根据权利要求1所述的可调阻值式虚拟电阻，其特征在于，所述第二晶体管操作在弱反转区。
4.根据权利要求1所述的可调阻值式虚拟电阻，其特征在于，所述控制电压的电压值为可调整的，且大于0伏特。
5.根据权利要求1所述的可调阻值式虚拟电阻，其特征在于，所述第一晶体管的基体端耦接所述第一晶体管的所述第一端。
6.根据权利要求1所述的可调阻值式虚拟电阻，其特征在于，所述第二晶体管的基体端耦接所述第二晶体管的所述第二端。
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