[发明专利]用于蚀刻均匀性控制的可变深度边缘环有效

专利信息
申请号: 201710076027.2 申请日: 2017-02-13
公开(公告)号: CN107086168B 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 艾夫林·安格洛夫;克里斯蒂安·赛拉迪;迪恩·拉森;布莱恩·西弗森 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 上海胜康律师事务所 31263 代理人: 李献忠;邱晓敏
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 蚀刻 均匀 控制 可变 深度 边缘
【权利要求书】:

1.一种衬底支撑件,包括:

内部部分,其布置成支撑衬底;

边缘环,其围绕所述内部部分;和

控制器,其

基于至少一个工艺参数计算所述衬底支撑件的期望凹坑深度,其中凹坑深度对应于所述边缘环的上表面与所述衬底的上表面之间的距离,并且

基于所述期望凹坑深度,选择性地控制致动器以升高和降低所述边缘环和所述内部部分中的至少一个,以调节所述边缘环的上表面和所述衬底的上表面之间的距离。

2.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述边缘环布置在所述衬底支撑件的外部部分上,并且为了升高和降低所述边缘环,所述控制器控制所述致动器以升高和降低所述外部部分。

3.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述边缘环包括能独立于所述边缘环移动的内环部分。

4.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述内部部分相当于静电卡盘。

5.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述致动器使用一个或多个致动器销来升高和降低所述边缘环和所述内部部分中的至少一个。

6.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述工艺参数包括要在所述衬底上执行的选定配方或工艺、处理室的特性、衬底的厚度、期望气体速度分布和期望蚀刻均匀性中的至少一个。

7.根据权利要求6所述的衬底支撑件,其中所述控制器包括凹坑深度计算模块,所述凹坑深度计算模块接收指示所述工艺参数的至少一个输入,并基于所述输入计算所述期望凹坑深度。

8.根据权利要求7所述的衬底支撑件,其还包括存储器,所述存储器存储指示所述工艺参数和所述期望凹坑深度之间的关系的数据。

9.根据权利要求8所述的衬底支撑件,其中所述凹坑深度计算模块(i)基于所述输入从所述存储器取回数据并且(ii)基于所取回的数据计算所述期望凹坑深度。

10.根据权利要求9所述的衬底支撑件,其中所述凹坑深度计算模块进一步基于存储在所述存储器中的模型和查找表中的至少一个来计算所述期望凹坑深度。

11.一种操作衬底支撑件的方法,所述方法包括:

将衬底布置在所述衬底支撑件的内部部分上;

基于至少一个工艺参数计算所述衬底支撑件的期望凹坑深度,其中凹坑深度对应于围绕所述内部部分的边缘环的上表面与所述衬底的上表面之间的距离;和

基于所述期望凹坑深度,选择性地控制致动器以升高和降低所述边缘环和所述内部部分中的至少一个,以调节所述边缘环的上表面和所述衬底的上表面之间的距离。

12.根据权利要求11所述的方法,其中所述边缘环布置在所述衬底支撑件的外部部分上,并且其中升高和降低所述边缘环包括控制所述致动器以升高和降低所述外部部分。

13.根据权利要求11所述的方法,其中所述边缘环包括能独立于所述边缘环移动的内环部分。

14.根据权利要求11所述的方法,其中所述内部部分相当于静电卡盘。

15.根据权利要求11所述的方法,其中升高和降低所述边缘环和所述内部部分中的至少一个包括使用一个或多个致动器销。

16.根据权利要求11所述的方法,其中所述工艺参数包括要在所述衬底上执行的选定配方或工艺、处理室的特性、衬底的厚度、期望气体速度分布和期望蚀刻均匀性中的至少一个。

17.根据权利要求16所述的方法,其还包括接收指示所述工艺参数的至少一个输入,并且基于所述输入计算所述期望凹坑深度。

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