[发明专利]电容器封装结构及其抗氧化复合式电极箔在审
申请号: | 201710075927.5 | 申请日: | 2017-02-13 |
公开(公告)号: | CN108428552A | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 钱明谷;林杰 | 申请(专利权)人: | 钰邦科技股份有限公司 |
主分类号: | H01G4/008 | 分类号: | H01G4/008;H01G4/224;H01G4/32 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 梁丽超;陈鹏 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电材料结构 含碳材料 复合式电极 抗氧化 电容器封装结构 含氧金属化合物 基底材料 抗氧化功能 结构设置 外界氧气 穿过 阻挡 | ||
1.一种抗氧化复合式电极箔,其特征在于,所述抗氧化复合式电极箔包括:
一基底材料结构,所述基底材料结构具有一上表面以及一下表面;
一第一导电材料结构,所述第一导电材料结构设置在所述基底材料结构的上表面;以及
一第一含碳材料结构,所述第一含碳材料结构设置在所述第一导电材料结构上;
其中,所述第一导电材料结构的其中一部分为接触所述第一含碳材料结构的一第一最外层,所述第一导电材料结构的所述第一最外层为通过氧化作用而形成的一第一含氧金属化合物层,且所述第一含氧金属化合物层设置在所述第一导电材料结构的其余部分与所述第一含碳材料结构之间,以阻挡穿过所述第一含碳材料结构的外界氧气去接触所述第一导电材料结构的其余部分。
2.根据权利要求1所述的抗氧化复合式电极箔,其特征在于,所述抗氧化复合式电极箔进一步包括:
一第二导电材料结构,所述第二导电材料结构设置在所述基底材料结构的下表面;以及
一第二含碳材料结构,所述第二含碳材料结构设置在所述第二导电材料结构上;
其中,所述第二导电材料结构的其中一部分为接触所述第二含碳材料结构的一第二最外层,所述第二导电材料结构的所述第二最外层为通过氧化作用而形成的一第二含氧金属化合物层,且所述第二含氧金属化合物层设置在所述第二导电材料结构的其余部分与所述第二含碳材料结构之间,以阻挡穿过所述第二含碳材料结构的外界氧气去接触所述第二导电材料结构的其余部分。
3.根据权利要求2所述的抗氧化复合式电极箔,其特征在于,所述基底材料结构为一单一的金属层或者一由多个金属层依序堆栈所形成,其中,所述第一导电材料结构为一单一的第一导电材料层或者一由多个第一导电材料层依序堆栈所形成,且所述第一含碳材料结构为一单一的第一含碳材料层或者一由多个第一含碳材料层依序堆栈所形成,其中,所述第二导电材料结构为一单一的第二导电材料层或者一由多个第二导电材料层依序堆栈所形成,且所述第二含碳材料结构为一单一的第二含碳材料层或者一由多个第二含碳材料层依序堆栈所形成,其中,所述第一导电材料层为一第一金属层、一第一金属合金层以及一第一金属化合物层三者其中之一,且所述第二导电材料层为一第二金属层、一第二金属合金层以及一第二金属化合物层三者其中之一。
4.根据权利要求1所述的抗氧化复合式电极箔,其特征在于,所述抗氧化复合式电极箔进一步包括:
一低活性金属结构,所述低活性金属结构设置在所述基底材料结构的下表面;以及
一第二含碳材料结构,所述第二含碳材料结构设置在所述低活性金属结构上,其中,穿过所述第二含碳材料结构的外界氧气被阻挡在所述低活性金属结构的外部。
5.一种抗氧化复合式电极箔,其特征在于,所述抗氧化复合式电极箔包括:
一基底材料结构;
一第一导电材料结构,所述第一导电材料结构设置在所述基底材料结构上;以及
一第一含碳材料结构,所述第一含碳材料结构设置在所述第一导电材料结构上;
其中,所述第一导电材料结构的其中一部分为接触所述第一含碳材料结构的一第一含氧金属化合物层,且所述第一含氧金属化合物层设置在所述第一导电材料结构的其余部分与所述第一含碳材料结构之间。
6.根据权利要求5所述的抗氧化复合式电极箔,其特征在于,所述抗氧化复合式电极箔进一步包括:
一第二导电材料结构,所述第二导电材料结构设置在所述基底材料结构上;以及
一第二含碳材料结构,所述第二含碳材料结构设置在所述第二导电材料结构上;
其中,所述第二导电材料结构的其中一部分为接触所述第二含碳材料结构的一第二含氧金属化合物层,且所述第二含氧金属化合物层设置在所述第二导电材料结构的其余部分与所述第二含碳材料结构之间。
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