[发明专利]一种薄膜器件产业化生产可行性参数获取方法和装置有效

专利信息
申请号: 201710075750.9 申请日: 2017-02-13
公开(公告)号: CN106844998B 公开(公告)日: 2020-07-21
发明(设计)人: 刘志斌;徐国刚;陈志聪;严志华 申请(专利权)人: 刘志斌
主分类号: G06F30/17 分类号: G06F30/17
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆;胡彬
地址: 215211 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 薄膜 器件 产业化 生产 可行性 参数 获取 方法 装置
【说明书】:

发明实施例公开了一种薄膜器件产业化生产可行性参数获取方法和装置。其中,所述方法包括:获得材料片的性能参数的测量值,根据所述性能参数的测量值确定所述材料片的均匀性参数;其中,所述材料片用于形成所述薄膜器件,所述均匀性参数反应所述薄膜器件的性能指标。本发明实施例提供的技术方案,根据材料片的均匀性参数可以清楚地了解目前薄膜材料或者集成器件处于产业化工艺制程开发的哪个阶段,为产品的开发提供指导方向。也可根据均匀性参数判断薄膜材料和集成器件的产业化可行性,为电子产品从核心技术开发到产业化开发提供了指标参数,利于更加科学和准确判定电子薄膜材料和集成器件产业化的可行性。

技术领域

本发明实施例涉及电子材料和器件制造领域,尤其涉及一种薄膜器件产业化生产可行性参数获取方法和装置。

背景技术

电子薄膜材料与集成电子产品涉及电子行业的诸多领域,在当今国民生活中占有极其重要的比重。具体来说,集成电路芯片、薄膜太阳能电池、LED和OLED发光芯片、TFT等光电器件在内的诸多产品都属于这类产品。这类产品在制造过程中均涉及薄膜加工制程,即薄膜制备制程、离子注入等薄膜干预制程以及蚀刻等薄膜剥离制程。近年来,包括宽禁带半导体材料,新型二维导电材料石墨烯等新型电子薄膜材料也在不断研究发展中,推动集成薄膜器件产业不断发展。

为了满足应用市场的实际需求,在制备电子薄膜材料与集成电子产品过程中必须满足产业化大规模生产、降低成本、提高产品良率及生产速度、产品满足环境可靠性测试等要求。各类新型电子薄膜材料和新颖的集成器件设备制程技术从开发阶段向大规模产业化应用推进过程中,需要确定各类新型电子薄膜材料和新颖的集成器件是否适合产业化生产。

发明内容

本发明提供一种薄膜器件产业化生产可行性参数获取方法和装置,以获得薄膜器件产业化生产可行性参数,指导薄膜器件开发和生产,利于准确判断薄膜器件的产业化可行性。

第一方面,本发明实施例提供了一种薄膜器件产业化生产可行性参数获取方法,该方法包括:

获得材料片的性能参数的测量值;

根据所述性能参数的测量值确定所述材料片的均匀性参数;

其中,所述材料片用于形成所述薄膜器件,所述均匀性参数反应所述薄膜器件的性能指标。

进一步的,所述获得材料片的性能参数的测量值,包括:

随机抽取n批材料片;

从每批中选取m片材料片;

随机测量所述m片中每片材料片上的k个点得到同一种性能参数的测量值;

其中,n、m和k均为大于等于1的整数。

进一步的,所述材料片的性能参数包括且不限于如下需要在产业化制造过程中保持一致性的重要指标:

所述材料片的膜厚、薄膜翘曲度及内部应力、透射率、反射率、折射率、掺杂浓度、刻蚀深度、线宽和导电性中的至少一种。

进一步的,所述均匀性参数包括:片内均匀性、片间均匀性、批间均匀性、制程维护间均匀性、设备间均匀性和整体均匀性中的至少一种;

其中,所述整体均匀性为所述片内均匀性、所述片间均匀性、所述批间均匀性、所述制程维护间均匀性和所述设备间均匀性中的至少两个的乘积。

进一步的,所述片内均匀性的计算公式为:

A=[1-(Max1-Min1)/(Max1+Min1)]*100%;

其中,A表示片内均匀性,Max1为对一片材料片测量得到的同一性能参数的最大值,Min1为对所述材料片测量得到的同一性能参数的最小值。

进一步的,所述片间均匀性的计算公式如下:

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