[发明专利]阵列基板及其控制方法有效
申请号: | 201710074179.9 | 申请日: | 2017-02-10 |
公开(公告)号: | CN106783891B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 李艳;高博;时凌云;孙伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 控制 方法 | ||
本申请公开了一种阵列基板及其控制方法,属于显示技术领域。所述阵列基板包括:衬底基板;所述衬底基板上设置有多根栅线、多根数据线、多个像素电极和多个薄膜晶体管TFT,每个所述像素电极通过一个TFT控制;其中,所述多根栅线和所述多根数据线围成阵列排布的多个像素区域,所述多个像素区域中存在至少一个目标像素区域,所述目标像素区域中设置有至少两个像素电极。本申请解决了改变亮度的方式较单一的问题,丰富了改变亮度的方式,本申请用于显示面板中的阵列基板。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板及其控制方法。
背景技术
随着显示技术的发展,显示面板得到了广泛的应用。显示面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板,以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶。
阵列基板包括第一衬底基板,第一衬底基板上设置有多根交叉排布的栅线和数据线,且栅线和数据线交叉形成多个像素区域,每个像素区域内设置有一个薄膜晶体管(英文:Thin Film Transistor;简称:TFT)结构和一个像素电极,TFT的栅极与栅线相连接,TFT的源极与数据线相连接,TFT的漏极与像素电极相连。彩膜基板包括第二衬底基板,第二衬底基板上依次形成有色阻层和公共电极,其中,色阻层包括红色色阻块、绿色色阻块和蓝色色阻块,每个色阻块与一个像素电极相对应。在需要控制显示面板显示图像时,可以向栅线施加开启电压,使得TFT中的源极和漏极处于导通的状态,并且可以分别向数据线施加像素电压以及向公共电极施加公共电压,数据线上的像素电压能够通过TFT的源极和漏极输入至像素电极。显示面板上各个区域的液晶均在像素电极和公共电极上的电压的作用下进行偏转,从而改变显示面板上各个区域的出光量,使显示面板上的各个区域发出不同亮度的光。在需要降低显示面板上某一区域发出光线的亮度时,可以通过调整向数据线施加的像素电压,减小该区域的液晶两端的像素电压与公共电压的压差,减小该区域的液晶偏转的程度,进而减少该区域的出光量。
由于相关技术中在需要改变显示面板上某一区域发出光线的亮度时,仅仅能够通过调整数据线上施加的像素电压的方式实现,因此,改变亮度的方式较单一。
发明内容
为了解决改变亮度的方式较单一的问题,本发明实施例提供了一种阵列基板及其控制方法。所述技术方案如下:
第一方面,提供了一种阵列基板,述阵列基板包括:
衬底基板;
所述衬底基板上设置有多根栅线、多根数据线、多个像素电极和多个薄膜晶体管TFT,每个所述像素电极通过一个TFT控制;
其中,所述多根栅线和所述多根数据线围成阵列排布的多个像素区域,所述多个像素区域中存在至少一个目标像素区域,所述目标像素区域中设置有至少两个像素电极。
可选的,所述衬底基板上还设置n根第一控制线,所述至少一个目标像素区域属于n行像素区域,所述n根第一控制线与所述n行像素区域一一对应,每根所述第一控制线穿过对应的一行像素区域,所述n为大于或等于1的整数;
每个所述目标像素区域中设置有两个像素电极,每个所述目标像素区域对应两个TFT,所述两个TFT分别与所述两个像素电极一一对应连接,所述两个TFT中的第一TFT与围成所述目标像素区域的一根栅线相连接,所述两个TFT中的第二TFT与穿过所述目标像素区域的一根第一控制线相连接,所述两个TFT均与围成所述目标像素区域的一根数据线相连接;
任意两个位于不同行的像素区域对应的TFT所连接的栅线不同,任意两个位于不同列的像素区域对应的TFT所连接的数据线不同。
可选的,所述衬底基板上设置有第一导电图案,所述第一导电图案包括:所述多根栅线、所述n根第一控制线和多个栅极;
设置有所述第一导电图案的衬底基板上设置有有源图案,所述有源图案包括多个有源块;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的