[发明专利]具有断裂探测的半导体芯片有效

专利信息
申请号: 201710073796.7 申请日: 2017-02-10
公开(公告)号: CN107068654B 公开(公告)日: 2020-03-10
发明(设计)人: D.哈默施密特;F.拉斯博尼希;W.沙伊本朱伯;H-J.瓦格纳;T.策特勒 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/58 分类号: H01L23/58;G01R31/28
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 卢江;杜荔南
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 断裂 探测 半导体 芯片
【权利要求书】:

1.一种半导体芯片(100),其包括:

-衬底(101),

-布置在衬底(101)上的集成电路(102),

-衬底(101)的凹部(110),

-印制导线(121、121-1、121-2、121-3),

-在衬底(101)的凹部(110)和印制导线(121、121-1、121-2、121-3)之间的交叉部(111),

-输入接口(123),其被设立用于能够实现将试验信号(401)在印制导线(121、121-1、121-2、121-3)的第一端部处馈送到印制导线(121、121-1、121-2、121-3)中,和

-输出接口(122),其在印制导线(121、121-1、121-2、121-3)的第二端部处与所述印制导线(121、121-1、121-2、121-3)耦合,所述第二端部与印制导线(121、121-1、121-2、121-3)的第一端部相对置,并且所述输出接口被设立用于能够实现在印制导线(121、121-1、121-2、121-3)的第二端部处的试验信号(401)的探测。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片(100),其中所述凹部(110)形成敞开的沟槽。

3.根据权利要求1或2所述的半导体芯片(100),其中所述凹部(110)形成绝缘槽。

4.根据权利要求1或2所述的半导体芯片(100),其中所述凹部(110)形成衬底(101)的额定断裂部位。

5.根据权利要求1或2所述的半导体芯片(100),其中所述凹部(110)具有拥有第一端部和相对置的第二端部的长条形状,其中凹部(110)的第一端部与衬底(101)的边缘(101-1)相邻布置。

6.根据权利要求1或2所述的半导体芯片(100),其中所述凹部(110)具有长条形状并且沿着集成电路(102)的部件(301、302)的棱伸展。

7.根据权利要求6所述的半导体芯片(100),其中所述半导体芯片(100)包括衬底(101)的多个凹部(110),其中第一凹部(110)沿着集成电路(102)的第一部件(301、302)的棱伸展,其中第二凹部(110)沿着集成电路(102)的第二部件(301、302)的棱伸展,其中第一部件(301、302)和第二部件(301、302)被设立用于输出冗余的输出信号。

8.根据权利要求1或2所述的半导体芯片(100),其中所述半导体芯片(100)包括衬底(101)的具有长条形状的多个凹部(110),所述多个凹部沿着不同方向伸展。

9.根据权利要求1或2所述的半导体芯片(100),其中所述半导体芯片(100)包括衬底(101)的多个凹部(110),其中所述半导体芯片(100)包括分别在相应的凹部(110)和所述印制导线(121、121-1、121-2、121-3)之间的多个交叉部(111)。

10.根据权利要求1或2所述的半导体芯片(100),其中所述半导体芯片(100)包括多个凹部(110)和多个印制导线(121、121-1、121-2、121-3),其中所述半导体芯片(100)对于每个凹部(110)包括至少一个与相应的印制导线(121、121-1、121-2、121-3)的交叉部(111),其中可选地,没有印制导线(121、121-1、121-2、121-3)与大于一个的凹部(110)相关联。

11.根据权利要求1或2所述的半导体芯片(100),其中所述集成电路(102)由多层工艺的多个层制造,其中所述多个层中的至少一个包括所述印制导线(121、121-1、121-2、121-3)。

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