[发明专利]包括温度传感器的半导体装置及其制造方法和电路

权利要求书

1.一种半导体装置(1)，包括具有第一主表面(110)的半导体衬底(100)中的晶体管(10)，所述晶体管(10)包括：

源极区(201)；

源极接触件，其电连接到所述源极区(201)，所述源极接触件包括第一源极接触部分(202)和第二源极接触部分(130)；以及

在与本体区(220)相邻的所述第一主表面中的栅极沟槽(212)中的栅极(210)，所述栅极(210)被配置成控制所述本体区(220)中的沟道的导电性，

所述本体区(220)和漂移区(260)沿着平行于所述第一主表面的第一方向而被布置在所述源极区(201)与漏极区(205)之间，

所述第二源极接触部分(130)被布置在所述半导体衬底(100)的第二主表面(120)处，

所述第一源极接触部分(202)包括与所述源极区(201)直接接触的源极导电材料(115)，所述第一源极接触部分(202)还包括所述半导体衬底(100)的在所述源极导电材料(115)与所述第二源极接触部分(130)之间的部分，

所述半导体装置(1)还包括在所述半导体衬底(100)中的温度传感器(30)。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体衬底(100)包括具有第一导电类型的第一区域(106)和具有第二导电类型的第一部分(104)，所述第一部分(104)的一部分是所述第一源极接触部分(202)的组成部分，并且所述温度传感器(30)包括与所述第一区域(106)接触的第一接触件(301)以及与所述第一部分(104)接触的第二接触件(302)。

3.根据权利要求2所述的半导体装置(1)，其中，所述源极导电材料(115)被布置在所述第一主表面(110)中的源极接触槽(112)中，所述源极接触槽延伸到所述第一部分(104)，并且所述第二接触件(302)被布置在所述第一主表面(110)中的第二传感器接触槽(303)中并且延伸到所述第一部分(104)。

4.根据权利要求3所述的半导体装置(1)，其中，所述源极接触槽(112)和所述第二传感器接触槽(303)延伸到同一深度。

5.根据权利要求3或4所述的半导体装置，其中，所述第二传感器接触槽(303)不延伸到所述半导体衬底(100)的所述第二主表面(120)。

6.根据权利要求2所述的半导体装置(1)，其中，所述第一接触件(301)被布置在所述第一主表面(110)中的第一传感器接触槽(304)中。

7.根据权利要求2所述的半导体装置(1)，其中，所述温度传感器(30)还包括与所述第一区域(106)接触的、具有所述第二导电类型的发射极区(305)。

8.根据权利要求7所述的半导体装置(1)，其中，所述第一接触件(301)和所述第二接触件(302)被连接到公共端子(271，294，313)。