[发明专利]半导体装置与其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

具有第一栅极结构的一第一n型沟道场效晶体管、具有第二栅极结构的一第二n型沟道场效晶体管、以及具有第三栅极结构的一第三n型沟道场效晶体管，其中：

该第一n型沟道场效晶体管的临界电压小于该第二n型沟道场效晶体管的临界电压，且该第二n型沟道场效晶体管的临界电压小于该第三n型沟道场效晶体管的临界电压；以及

具有第四栅极结构的一第一p型沟道场效晶体管、具有第五栅极结构的一第二p型沟道场效晶体管、以及具有第六栅极结构的一第三p型沟道场效晶体管，其中该第一p型沟道场效晶体管的临界电压小于该第二p型沟道场效晶体管的临界电压，且该第二p型沟道场效晶体管的临界电压小于该第三p型沟道场效晶体管的临界电压，其中：该第一栅极结构包含一第一功函数调整材料层，该第二栅极结构包含一第二功函数调整材料层，该第三栅极结构包含一第三功函数调整材料层，该第四栅极结构包含一第四功函数调整材料层，该第五栅极结构包含一第五功函数调整材料层，且该第六栅极结构包含一第六功函数调整材料层，

该第一栅极结构、该第二栅极结构、该第三栅极结构、该第四栅极结构、该第五栅极结构与该第六栅极结构各自包含一栅极介电层及位于该栅极介电层上的一第一导电层，且该第一功函数调整材料层、该第二功函数调整材料层、该第三功函数调整材料层、该第四功函数调整材料层、该第五功函数调整材料层与该第六功函数调整材料层位于该第一导电层上，

该第一功函数调整材料层、该第二功函数调整材料层、该第三功函数调整材料层、该第四功函数调整材料层、该第五功函数调整材料层与该第六功函数调整材料层各自包含第一材料组成的一第一层、以及第二材料组成的一第二层，其中该第一层位于该第二层上，且该第一材料不同于该第二材料，以及

该第二功函数调整材料层、该第三功函数调整材料层、该第四功函数调整材料层、该第五功函数调整材料层与该第六功函数调整材料层的该第二层的厚度依序增加。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中：

该第一功函数调整材料层包含该第一材料组成的一第一层，且该第一材料为TiAlC。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第二材料为TiN。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一导电层包括TaN层。

5.一种半导体装置，包括：

一第一n型沟道场效晶体管，包含具有临界电压Vn1的一第一栅极结构；

一第二n型沟道场效晶体管，包含具有临界电压Vn2的一第二栅极结构；

一第三n型沟道场效晶体管，包含具有临界电压Vn3的一第三栅极结构；

一第一p型沟道场效晶体管，包含具有临界电压Vp1的一第四栅极结构；

一第二p型沟道场效晶体管，包含具有临界电压Vp2的一第五栅极结构；以及

一第三p型沟道场效晶体管，包含具有临界电压Vp3的一第六栅极结构，

其中：

Vn1Vn2Vn3且Vp1Vp2Vp3，

该第一栅极结构包含一第一功函数调整材料层，该第二栅极结构包含一第二功函数调整材料层，该第三栅极结构包含一第三功函数调整材料层，该第四栅极结构包含一第四功函数调整材料层，该第五栅极结构包含一第五功函数调整材料层，且该第六栅极结构包含一第六功函数调整材料层，

该第一功函数调整材料层、该第二功函数调整材料层、该第三功函数调整材料层、该第四功函数调整材料层、该第五功函数调整材料层、与该第六功函数调整材料层各自形成于一第一导电层上，且该第一导电层位于一栅极介电层上，

该第二功函数调整材料层、该第三功函数调整材料层、该第四功函数调整材料层、该第五功函数调整材料层、与该第六功函数调整材料层各自包含第一材料组成的一第一层，与第二材料组成的一第二层，其中该第一层位于该第二层上，且该第一材料不同于该第二材料，以及

该第二功函数调整材料层、该第三功函数调整材料层、该第四功函数调整材料层、该第五功函数调整材料层、与该第六功函数调整材料层的该第二层的厚度依序增加。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其中：

该第一功函数调整材料层包含该第一材料组成的一第一层，且，且该第一材料为TiAlC。