[发明专利]半导体图像传感器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及半导体领域，更具体地涉及半导体图像传感器件及其制造方法。

背景技术

半导体图像传感器被用于检测辐射，例如光。互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)和电耦合器件(CCD)传感器广泛应用于各种应用，例如数码相机或手机摄像头应用。这些器件利用衬底中的像素阵列(包括光电二极管和晶体管)，像素阵列可以吸收投射到衬底上的辐射并将感测的辐射转化为电信号。

近年来，半导体集成电路(IC)行业经历了快速发展。IC材料和设计的技术进步产生了多代IC，其中，每一代都具有比先前一代更小且更复杂的电路。作为用于半导体图像传感器的IC演变的一部分，辐射敏感像素的尺寸一直在持续减小。由于像素和相邻像素之间的间隔继续收缩，诸如过量的电流泄漏的问题变得更加难以控制。已知来自感光(如，光电二极管)区的过量的电流泄漏导致CMOS图像传感器中的白点问题(即，白像素)。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体图像传感器件，包括：衬底；第一像素和第二像素，设置在所述衬底中，其中，所述第一像素和所述第二像素为相邻像素；以及隔离结构，设置在所述衬底中并且介于所述第一像素和所述第二像素之间，其中，所述隔离结构包括介电层，并且所述介电层包括碳氧氮化硅(SiOCN)。

本发明的实施例还提供了一种半导体图像传感器件，包括：衬底；多个辐射感测区，形成在所述衬底中；以及多个深沟槽隔离(DTI)结构，形成在所述衬底中，其中，每一对相邻的辐射感测区都通过相应的一个深沟槽隔离结构彼此分离，所述深沟槽隔离结构具有在从2至20的范围的深度与宽度的比率，所述深沟槽隔离结构包括介电层，以及所述介电层包括碳氧氮化硅(SiOCN)。

本发明的实施例还提供了一种半导体图像传感器件的制造方法，包括：在衬底中形成多个沟槽；通过原子层沉积(ALD)方法分别在所述沟槽中形成介电层，以在所述衬底中形成深隔离结构；以及在相邻的深隔离结构之间的衬底中形成辐射感测区。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最好地理解本发明的各个实施例。应该注意，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。

图1是根据一些实施例的示出了半导体图像传感器件的制造方法的流程图。

图2A至图2F是根据一些实施例的示出了制造半导体图像传感器件的方法的截面图。

图3是根据一些实施例的示出了半导体图像传感器件的截面图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多不同实施例或实例，用于实现所提供主题的不同特征。以下将描述组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅是实例并且不意欲限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。而且，本发明在各个实例中可以重复参考数字和/或字母。这种重复仅是为了简明和清楚，其自身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。

此外，为了便于描述，本文中可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…上面”、“上部”等的空间关系术语，以描述如图中所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间关系术语旨在包括器件在使用或操作过程中的不同方位。装置可以以其他方式定位(旋转90度或在其他方位)，并且在本文中使用的空间关系描述符可以同样地作相应地解释。

图1是根据一些实施例的示出了半导体图像传感器件的制造方法的流程图。图2A至图2F是根据一些实施例的示出了制造半导体图像传感器件的方法的截面图。